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【求助】CASTEP结果分析的几个问题
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1.电子密度isosurface图代表什么含义？是不是说在这个面上电子密度相等，从中能得到什么信息？ 2.电子密度slice图中数值是体系电子密度的绝对值或只是相对大小？在作图时是不是可以随便调解数值范围以使所做图变得清晰漂亮？如何分析电子密度slice图？ 3.在计算得到半导体为直接带隙，价带顶到导带底均在G点，带隙为0.02eV（实验值为0.56eV）,不知道结果是否合理(文献中有人用LDA计算值为0.2eV，但不知道我的结果为何比他还差).另外，在DOS中为何费米能级会穿过态密度非零区，DOS中如何能看出带隙？在分析DOS时有两种积分（Integration method），一种为Smearing，积出的DOS很平滑，一种为Interpolation，峰比较尖锐，不知哪种在分析问题时更好或更常用？附件中三张DOS图为同一次计算，采用不同方法：Smearing（默认0.2) ,Smearing（0.02)，Interpolation（fine） 4。在分析光学性质时，我用剪刀算符校正，smearing设为0.1，最终得到折射率为3.7（实验值约为3.5~3.6），smearing越小出现的峰越多，是不是就像分辨率越来越高？ 在光学性质分析时选择Polarize（应该翻译为偏振吧？），Polarization是不是指的是光电场的偏振方向，比如对四方晶选择001，就是E垂直于光轴，按理应该是o光，100方向则为e光，不知我的理解对不对？ [ Last edited by lvweiqiang111 on 2008-1-11 at 20:54 ] |
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csfn
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lvweiqiang111(金币+3,VIP+0):谢谢版主非常快速的回答！如果能在参数设置方面给点建议那就更不胜感激了！
lvweiqiang111(金币+1,VIP+0):谢谢你的回答！
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关于你的1，2的问题我都没具体做过分析。不过我想电荷密度反应的主要是电子得失，成键性质~应该只能是一个定性的分析 3，你的带隙看起来是不大理想的，考虑换换参数计算一下。dos看带隙，除非你的展宽参数设置很低，否则是不能反应准确带隙值。一般来说，你的展宽参数（ismearing）默认不会很低，所以也就不要用它来看带隙呢。 4，没接触过此类问题~ 没看你的图，虽然俺下载不要金币，但要时间，所以建议画个图直接贴在这里（图以附件上传可以显示出来） |
2楼2008-01-09 13:18:45
3楼2008-01-09 14:18:37
lvweiqiang111
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8楼2008-04-11 11:49:09
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lvweiqiang111(金币+3,VIP+0):谢谢你的回答！原始群没有改变，k点路径按默认值，好像算体相无所谓吧！原胞和单胞路径不太一样，但不知道是怎么对应的！
lvweiqiang111(金币+3,VIP+0):谢谢你的回答！原始群没有改变，k点路径按默认值，好像算体相无所谓吧！原胞和单胞路径不太一样，但不知道是怎么对应的！
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请教:您计算band时,有没有改变原始CdGeAs2的空间群? band里面的k-point path怎么设置可以得到好的图象,比如from to 的坐标数值等等 ??? lz的问题个个经典啊, 1 isosurface图:出现的面上的电子云密度相同的.可以自己设置不同的密度值来显示吧.当然被设置值越低,越远离分子表面了. 2 slice图 数值应该是相对的,应该随外观可以改变 3 dos看带隙应该没有band 好的,有smearing的影响 4 没涉及过. 个人见解,仅供参考!!! |
9楼2008-04-17 12:26:15
