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求问下一般SEM中的EDS成分测试的测试深度问题 已有2人参与
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我是做半导体薄膜的，膜的厚度在1-1.5微米之间，我想得到薄膜的整体成分问题，同样的样品，我用EDS和ICP测试出来的数据有差距，不知道是不是因为EDS的穿透深度不够导致的对薄膜的成分反应不完全导致的的呢？ 我用的是JOEL的SEM，钨灯丝的，电压是20kV 求大神帮忙解答下~~ |
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月下冰魂
木虫 (正式写手)
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gxytju2008
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