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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 测试表征 » 求问下一般SEM中的EDS成分测试的测试深度问题
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matt_josie

银虫 (小有名气)

[求助] 求问下一般SEM中的EDS成分测试的测试深度问题 已有2人参与

我是做半导体薄膜的，膜的厚度在1-1.5微米之间，我想得到薄膜的整体成分问题，同样的样品，我用EDS和ICP测试出来的数据有差距，不知道是不是因为EDS的穿透深度不够导致的对薄膜的成分反应不完全导致的的呢？
我用的是JOEL的SEM，钨灯丝的，电压是20kV
求大神帮忙解答下~~
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1楼 2013-12-31 22:00:09
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gxytju2008

专家顾问 (文坛精英)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
穿越千年: 金币+1, 欢迎来本版交流，新年快乐 2014-01-01 12:51:17
matt_josie: 金币+10, ★★★很有帮助 2014-01-02 09:00:02
EDS分析深度至少在1微米，主要问题是EDS根本不能用来定量的，只能用来定性，而且对轻元素不敏感，定性都有可能有问题，EDS主要是用来定性或者做元素分布图的，不用来定量
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2楼2013-12-31 23:40:05
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月下冰魂

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
确实，EDS的分析精度一点都不高，误差一般都在5%左右。。定量不太可信。。
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奋斗。。。
3楼2014-01-02 08:43:54
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