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qw905至尊木虫 (著名写手)
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[交流]
GaN 晶体的氨热法生长 已有1人参与
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1997 年，波兰 Ammono 公司首次报道了 GaN 晶体的氨热法生长，他们在由超临界氨和碱性矿化剂( KNH2、LiNH2) 的溶液中，在温度大于 550 ℃、压力为 400 ～500 MPa 范围下合成出小尺寸 GaN 晶体。 氨热法显然是一种生长 GaN 体单晶很有前景的方法，这是因为在较低的温度和压力下就可以使得 GaN体单晶得以生长，同时由于一釜可以同时生长出多块 GaN 晶体，将可能使 GaN 晶片的价格降低到其他方法生长晶片价格的 1/20。  2inch-GaN-波兰ammono.jpg |
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本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : Ammono_GaN_High_Transparency_n-type_substrates_v_20110906.pdf
- 附件 2 : Ammono_GaN_High-carrier-concentration_n-type_substrates_v_20110906.pdf
- 附件 3 : Ammono_GaN_High-carrier-concentration_n-type_substrates_v_20110906.pdf
- 附件 4 : Ammono_GaN_Ultra_High_Resistivity_SI_substrates_v_20110906.pdf
- 附件 5 : Cn0050-241-050-5-3-04.pdf
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