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qw905

至尊木虫 (著名写手)

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[交流] GaN 晶体的氨热法生长已有1人参与

1997 年，波兰 Ammono 公司首次报道了 GaN 晶体的氨热法生长，他们在由超临界氨和碱性矿化剂( KNH2、LiNH2) 的溶液中，在温度大于 550 ℃、压力为 400 ～500 MPa 范围下合成出小尺寸 GaN 晶体。
氨热法显然是一种生长 GaN 体单晶很有前景的方法，这是因为在较低的温度和压力下就可以使得 GaN体单晶得以生长，同时由于一釜可以同时生长出多块 GaN 晶体，将可能使 GaN 晶片的价格降低到其他方法生长晶片价格的 1/20。

2inch-GaN-波兰ammono.jpg

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附件 1 : Ammono_GaN_High_Transparency_n-type_substrates_v_20110906.pdf

2013-12-26 15:53:31, 101.22 K

附件 2 : Ammono_GaN_High-carrier-concentration_n-type_substrates_v_20110906.pdf

2013-12-26 15:53:38, 106.12 K

附件 3 : Ammono_GaN_High-carrier-concentration_n-type_substrates_v_20110906.pdf

2013-12-26 15:53:46, 106.12 K

附件 4 : Ammono_GaN_Ultra_High_Resistivity_SI_substrates_v_20110906.pdf

2013-12-26 15:54:02, 105.6 K

附件 5 : Cn0050-241-050-5-3-04.pdf

2013-12-26 15:54:14, 186.27 K

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1楼 2013-12-26 15:58:11

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自在天sky

木虫 (正式写手)

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