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zhuosifei

银虫 (小有名气)

[求助] 如何选择Mott-Schottky曲线电位范围？谢谢！

各位大侠，小虫最近刚刚接触Mott-Schottky曲线，其中有多处不明白的地方，困扰许久，特来求助各位大侠，还望不吝指点，谢谢啦！麻烦了！
       具体问题如下：
     （1）测试M-S曲线时，电位范围该如何选择？（我的是一种新物质，无文献参考）电位不同是不是对Efb有很大影响？
     （2）测试时，曲线最低点即起峰位点对应的纵坐标不为零，这样可以吗？（如图）
     （3）根据M-S曲线测试得到的Efb位点与由线性扫描得到的起峰位点不同，该怎样解释呢？有文献解释为The discrepancy between
VFB and the photocurrent onset is likely due to OER overpotential losses and voltage drops in the circuit. 我的是HER也可以这样解释吗？
       谢谢诸位！万分感谢！
如何选择Mott-Schottky曲线电位范围？谢谢！
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我要飞得更高
1楼 2013-12-10 10:13:23
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Jackcd12

至尊木虫 (知名作家)
如果你已经知道半导体的类型，如上面的M-S所示，为n型半导体，选择电位扫描范围主要向开路电位的正方向（阳极方向）扫描，这时半导体空间电荷层才会处于耗尽状态，M-S测试的就是耗尽状态时的电容。
  由于平带电位是通过作切线来确定的，很多时候M-S曲线表现出多段直线，以及不理想的直线，因此，M-S曲线的直线段的选择就带有人为因素，一般需要选择直线段最长的部分做切线。
  就你上面的图看，直线段应该选择的0-0.6对应的线性段做切线比较合适，而不是下面的那段。
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Themoreamanlearns,themoreheknowshisignorance!
4楼2013-12-30 12:22:15
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Jackcd12

至尊木虫 (知名作家)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
zhuosifei: 金币+20, ★★★★★最佳答案, 非常感谢您！我依次再做进一步的测试，有问题再问您！谢谢您的热心帮助！ 2013-12-10 16:30:09
1. M-S测试时，在不清楚膜的半导体类型的情况下，以开路电位为中心点，电位扫描范围可以在中心点左右0.6V范围内，根据曲线情况，再确定扩大或缩小电位范围。
2. M-S 曲线的最低点并不需要一定接近0，但计算C^-2时要注意正确使用电容的公司和各常数的单位。
3. 平带电位是半导体膜性质决定的，与光照时从I-V 曲线上得到的起始电位不完全吻合也是正常的，因M-S曲线是在半导体空间层处于耗尽层状态下测试，受测试条件（阻抗测试采用的频率，电位扫描速度等）和人工切线的选择等因素的影响，但一般不会相差太大。
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Themoreamanlearns,themoreheknowshisignorance!
2楼2013-12-10 13:18:54
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zhuosifei

银虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by Jackcd12 at 2013-12-10 13:18:54
1. M-S测试时，在不清楚膜的半导体类型的情况下，以开路电位为中心点，电位扫描范围可以在中心点左右0.6V范围内，根据曲线情况，再确定扩大或缩小电位范围。
2. M-S 曲线的最低点并不需要一定接近0，但计算C^-2时要 ...

老师，您好！
      关于M-S曲线我还有一个问题想问您！谢谢！打扰了！！
     （1）我对比两个样品，在做光电响应曲线，即线扫时，起峰电位（电流开始大于零时）是有区别的，相差0.15V。是我想要的结果。但是在做M-S曲线时，平带电位却怎么测都是相同的值，不知是什么原因？（测试过程：开路电位也不太稳定，大概在0.2-0.4之间，如果我选择-0.4-1.2会得到一条斜率为正的直线，但是两条曲线的平带电位值确是相同的）
      （2）如果我选择-1.2-0.6，如上图所示，会出现两段直线区域，如果选择0-0.6之间的直线区域，那么两条曲线即两个样品的平带电位都是1.1V，也没有区别，但是如果选择-0.4-0V之间的区域，则结果与线扫的结果相符，但是此时这段区域是在开路电位的左侧，即开路电位是0.2V，不在所选区域之内，这样可以吗？
       我现在不知道该如何用M-S曲线，如果我的开路电位是0.2V，我可以用上图的M-S曲线，并选择-0.4-0V的直线区域吗？
       打扰老师了！谢谢！！
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我要飞得更高
3楼2013-12-30 11:29:32
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lhy_work

木虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by Jackcd12 at 2013-12-30 12:22:15
如果你已经知道半导体的类型，如上面的M-S所示，为n型半导体，选择电位扫描范围主要向开路电位的正方向（阳极方向）扫描，这时半导体空间电荷层才会处于耗尽状态，M-S测试的就是耗尽状态时的电容。
  由于平带电位 ...

您好，如果对于p型半导体来说的话，是要负扫才能达到耗尽状态吗？不知您那有没有相关文献可以发我一份呢？谢谢谢谢~
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用心用心用心！
5楼2016-12-10 09:27:40
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