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zhuosifei

银虫 (小有名气)

[求助] 如何选择Mott-Schottky曲线电位范围?谢谢!

各位大侠,小虫最近刚刚接触Mott-Schottky曲线,其中有多处不明白的地方,困扰许久,特来求助各位大侠,还望不吝指点,谢谢啦!麻烦了!
       具体问题如下:
     (1)测试M-S曲线时,电位范围该如何选择?(我的是一种新物质,无文献参考)电位不同是不是对Efb有很大影响?
     (2)测试时,曲线最低点即起峰位点对应的纵坐标不为零,这样可以吗?(如图)
     (3)根据M-S曲线测试得到的Efb位点与由线性扫描得到的起峰位点不同,该怎样解释呢?有文献解释为The discrepancy between
VFB and the photocurrent onset is likely due to OER overpotential losses and voltage drops in the circuit. 我的是HER也可以这样解释吗?
       谢谢诸位!万分感谢!
如何选择Mott-Schottky曲线电位范围?谢谢!
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我要飞得更高
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zhuosifei

银虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by Jackcd12 at 2013-12-10 13:18:54
1. M-S测试时,在不清楚膜的半导体类型的情况下,以开路电位为中心点,电位扫描范围可以在中心点左右0.6V范围内,根据曲线情况,再确定扩大或缩小电位范围。
2. M-S 曲线的最低点并不需要一定接近0,但计算C^-2时要 ...

老师,您好!
      关于M-S曲线我还有一个问题想问您!谢谢!打扰了!!
     (1)我对比两个样品,在做光电响应曲线,即线扫时,起峰电位(电流开始大于零时)是有区别的,相差0.15V。是我想要的结果。但是在做M-S曲线时,平带电位却怎么测都是相同的值,不知是什么原因?(测试过程:开路电位也不太稳定,大概在0.2-0.4之间,如果我选择-0.4-1.2会得到一条斜率为正的直线,但是两条曲线的平带电位值确是相同的)
      (2)如果我选择-1.2-0.6,如上图所示,会出现两段直线区域,如果选择0-0.6之间的直线区域,那么两条曲线即两个样品的平带电位都是1.1V,也没有区别,但是如果选择-0.4-0V之间的区域,则结果与线扫的结果相符,但是此时这段区域是在开路电位的左侧,即开路电位是0.2V,不在所选区域之内,这样可以吗?
       我现在不知道该如何用M-S曲线,如果我的开路电位是0.2V,我可以用上图的M-S曲线,并选择-0.4-0V的直线区域吗?
       打扰老师了!谢谢!!
我要飞得更高
3楼2013-12-30 11:29:32
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Jackcd12

至尊木虫 (知名作家)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
zhuosifei: 金币+20, ★★★★★最佳答案, 非常感谢您!我依次再做进一步的测试,有问题再问您!谢谢您的热心帮助! 2013-12-10 16:30:09
1. M-S测试时,在不清楚膜的半导体类型的情况下,以开路电位为中心点,电位扫描范围可以在中心点左右0.6V范围内,根据曲线情况,再确定扩大或缩小电位范围。
2. M-S 曲线的最低点并不需要一定接近0,但计算C^-2时要注意正确使用电容的公司和各常数的单位。
3. 平带电位是半导体膜性质决定的,与光照时从I-V 曲线上得到的起始电位不完全吻合也是正常的,因M-S曲线是在半导体空间层处于耗尽层状态下测试,受测试条件(阻抗测试采用的频率,电位扫描速度等)和人工切线的选择等因素的影响,但一般不会相差太大。
Themoreamanlearns,themoreheknowshisignorance!
2楼2013-12-10 13:18:54
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Jackcd12

至尊木虫 (知名作家)

如果你已经知道半导体的类型,如上面的M-S所示,为n型半导体,选择电位扫描范围主要向开路电位的正方向(阳极方向)扫描,这时半导体空间电荷层才会处于耗尽状态,M-S测试的就是耗尽状态时的电容。
  由于平带电位是通过作切线来确定的,很多时候M-S曲线表现出多段直线,以及不理想的直线,因此,M-S曲线的直线段的选择就带有人为因素,一般需要选择直线段最长的部分做切线。
  就你上面的图看,直线段应该选择的0-0.6对应的线性段做切线比较合适,而不是下面的那段。
Themoreamanlearns,themoreheknowshisignorance!
4楼2013-12-30 12:22:15
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lhy_work

木虫 (小有名气)

引用回帖:
4楼: Originally posted by Jackcd12 at 2013-12-30 12:22:15
如果你已经知道半导体的类型,如上面的M-S所示,为n型半导体,选择电位扫描范围主要向开路电位的正方向(阳极方向)扫描,这时半导体空间电荷层才会处于耗尽状态,M-S测试的就是耗尽状态时的电容。
  由于平带电位 ...

您好,如果对于p型半导体来说的话,是要负扫才能达到耗尽状态吗?不知您那有没有相关文献可以发我一份呢?谢谢谢谢~
用心用心用心!
5楼2016-12-10 09:27:40
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