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关于宽带隙半导体的光催化反应
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tyronezhang
铁杆木虫
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(幼儿园)
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虫号: 293227
[交流]
关于宽带隙半导体的光催化反应
合成过几种光催化剂,从吸收光谱上看,这些材料可以认为无法吸收可见光,如图所示,吸收带边也就到350nm。
但是这些材料在可见光下都表现出了光催化活性,在Pt的负载下,可以光解纯水制氢,产氢速率可以达到10 umol/h/g(20mg光催化剂)。加入牺牲试剂(甲醇或硫化物等)后,产氢速率等进一步提高。
从能带理论出发,这些材料因为无法吸收可见光,不可能实现在可见光下光解纯水。但事实上它们却表现出了可见光活性,原因何在?有没有相关的文献讨论过这种现象?是否可以归结为Pt的表面等离共振?
Graph2.jpg
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1楼
2013-12-05 14:48:14
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tyronezhang
铁杆木虫
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5楼
:
Originally posted by
peizx
at 2013-12-06 12:09:21
看你的材料像是锐钛矿吧。可能是表面缺陷造成的。特别是可见光区,没有新带,但总体吸收上移了
不是TiO2,是其他的半导体材料
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6楼
2013-12-06 16:27:42
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sjxie222
铜虫
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★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
Pt负载前有可见光活性吗?Pt即便是有SPR效应的话,也应该在紫外区。空白有活性吗?
[
Last edited by sjxie222 on 2013-12-5 at 22:27
]
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2楼
2013-12-05 16:51:02
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kinkilyou
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★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
这个有过很多解释,你可以参考下日本的NOSAKA教授的论文。
1. 可能是由TiO2表面氧缺陷造成的。
2. 负载Pt时,含有的Cl负载在TiO2上造成的。
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tyronezhang
3楼
2013-12-05 19:19:08
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tyronezhang
铁杆木虫
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3楼
:
Originally posted by
kinkilyou
at 2013-12-05 19:19:08
这个有过很多解释,你可以参考下日本的NOSAKA教授的论文。
1. 可能是由TiO2表面氧缺陷造成的。
2. 负载Pt时,含有的Cl负载在TiO2上造成的。
谢谢,来找找看
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4楼
2013-12-06 08:23:05
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