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金属与半导体形成的异质结是肖特基结,那半导体与半导体形成的异质结叫什么? [ Last edited by congqin312 on 2013-12-3 at 17:25 ] |
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2楼2013-12-03 23:40:49
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个人认为分为pn异质结和非pn异质结,我之前回复过个帖子转过来供参考。对pn异质结来说,由于多子(包括n结里的电子和p结内的空穴)的扩散,会在pn结界面处形成内建电场,在光照下,一般来说,由于内建电场的驱使,p-type CB上的光生电子会朝n-type上的CB上迁移,而n-type上的光生空穴会朝p-type上的VB迁移【Wang xc*, Semiconductor heterojunction photocatalysts:design, construction, and photocatalytic performances,Chem. Soc. Rev, 2014】。但也见过反常的例子,pn异质结形成后,二半导体费米能级的不同会导致能带导带、价带的上下相对移动使其相对电位的变化,从而达到一个平衡态的费米能级,结果就是一半导体CB中的电子与另一半导体中VB里留下的空穴复合,最终形成所谓的Z-scheme异质结【Dong Fan*, Three dimensional Z-scheme (BiO)2CO3/MoS2with enhanced visiblelight photocatalytic NO removal.Applied Catalysis B: Environmental 199 (2016) 87–95】。比较少见,就目前我也只见过这一篇文献。 还有一类是非pn异质结,复合后自身能带结构不发生改变(可能是没有多子扩散的影响了吧?),构成错位的能带结构,由于电位差形成的内建电场(有别于p-n结的多子扩散形成的内建电场)的作用,电子从高CB往低CB流,空穴从低VB往高VB流。 不知正确与否,欢迎继续讨论。 |
10楼2017-01-30 10:02:55













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