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wumengxia

新虫 (小有名气)

[求助] 半导体与半导体形成的异质结叫什么 已有1人参与

金属与半导体形成的异质结是肖特基结,那半导体与半导体形成的异质结叫什么?

[ Last edited by congqin312 on 2013-12-3 at 17:25 ]
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愤怒的-小虫

铁虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
就叫异质结或者叫异质结外延,外延异质结

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
灵魂和肉体的战斗
2楼2013-12-03 23:40:49
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幸福少爷

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
首先你的前半句是错误的,金属与半导体可以形成两种接触:肖特基接触和欧姆接触。只有形成肖特基接触时才能成为肖特基结。其次半导体与半导体可以形成同质结合异质结
Youjustfocus
3楼2013-12-04 08:12:28
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wumengxia

新虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by 幸福少爷 at 2013-12-04 08:12:28
首先你的前半句是错误的,金属与半导体可以形成两种接触:肖特基接触和欧姆接触。只有形成肖特基接触时才能成为肖特基结。其次半导体与半导体可以形成同质结合异质结

不好意思,例如Au纳米颗粒与TiO2介孔结构形成的异质结是肖特基结,那ZnO,CdSe,CdS等半导体与TiO2介孔结构形成的异质结是怎么分类的?
好好生活好好爱自己!
4楼2013-12-04 09:31:54
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幸福少爷

铁杆木虫 (著名写手)

引用回帖:
4楼: Originally posted by wumengxia at 2013-12-04 09:31:54
不好意思,例如Au纳米颗粒与TiO2介孔结构形成的异质结是肖特基结,那ZnO,CdSe,CdS等半导体与TiO2介孔结构形成的异质结是怎么分类的?...

Au纳米颗粒与TiO2介孔结构形成的异质结是肖特基结是因为这个结具有肖特基特性,是特有的名称。你说的半导体之间的异质结有同型异质结和反型异质结之分,这跟前面金属与半导体结完全是两个不同的概念。建议最好去看一下刘恩科的半导体物理学第七章和第九章的内容
Youjustfocus
5楼2013-12-04 10:32:26
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wumengxia

新虫 (小有名气)

引用回帖:
5楼: Originally posted by 幸福少爷 at 2013-12-04 10:32:26
Au纳米颗粒与TiO2介孔结构形成的异质结是肖特基结是因为这个结具有肖特基特性,是特有的名称。你说的半导体之间的异质结有同型异质结和反型异质结之分,这跟前面金属与半导体结完全是两个不同的概念。建议最好去看 ...

谢谢
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6楼2013-12-05 15:22:53
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yuan999

专家顾问 (知名作家)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
看你怎么分啊,如果是不同半导体形成的异质洁,可以叫异质洁,相同半导体可以叫同质结,
我~心~依~旧
7楼2013-12-06 15:58:31
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hsj200599

铁虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

半导体与半导体形成的就是异质结,要看两个半导体的价带与导带位置,有type I型,type II 型。。
8楼2017-01-17 09:35:18
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liuguohua888

铁虫 (正式写手)


半导体异质结结构的现状
1. Charge Transport in Two-Photon Semiconducting Structures for Solar Fuels
2. Engineering heterogeneous semiconductors for solar water splitting
3. Visible-light driven heterojunction photocatalysts for water splitting – a critical review
9楼2017-01-27 23:35:46
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kuku5837135

银虫 (正式写手)

个人认为分为pn异质结和非pn异质结,我之前回复过个帖子转过来供参考。对pn异质结来说,由于多子(包括n结里的电子和p结内的空穴)的扩散,会在pn结界面处形成内建电场,在光照下,一般来说,由于内建电场的驱使,p-type CB上的光生电子会朝n-type上的CB上迁移,而n-type上的光生空穴会朝p-type上的VB迁移【Wang xc*, Semiconductor heterojunction photocatalysts:design, construction, and photocatalytic
performances,Chem. Soc. Rev, 2014】。但也见过反常的例子,pn异质结形成后,二半导体费米能级的不同会导致能带导带、价带的上下相对移动使其相对电位的变化,从而达到一个平衡态的费米能级,结果就是一半导体CB中的电子与另一半导体中VB里留下的空穴复合,最终形成所谓的Z-scheme异质结【Dong Fan*, Three dimensional Z-scheme (BiO)2CO3/MoS2with enhanced visiblelight photocatalytic NO removal.Applied Catalysis B: Environmental 199 (2016) 87–95】。比较少见,就目前我也只见过这一篇文献。
还有一类是非pn异质结,复合后自身能带结构不发生改变(可能是没有多子扩散的影响了吧?),构成错位的能带结构,由于电位差形成的内建电场(有别于p-n结的多子扩散形成的内建电场)的作用,电子从高CB往低CB流,空穴从低VB往高VB流。
不知正确与否,欢迎继续讨论。
10楼2017-01-30 10:02:55
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