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2012101984

金虫 (正式写手)

[求助] 虚心请教,认真回答!关于包覆和掺杂的问题

首先是包覆与掺杂的区别,就字面来说我肯定能理解,掺杂是说元素进入到结构中,而包覆是在核心材料的外面形成的薄膜。可我看那文献时,他们的合成方法基本一样,可以通过球磨混,也可以共沉淀时一起加进去。过程都是这样的,怎么说包覆就是包覆,说掺杂就是掺杂了呢?
其次,我想请教一下,包覆和改性同时进行,行得通吗?有哪些问题?
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轼之

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖


感谢参与,应助指数 +1
2012101984: 金币+1, 有帮助 2013-12-02 11:23:06
这个也要参考离子的迁移率,如果迁移率快的话,在焙烧的过程中会进入本体的晶胞中,就是掺杂了。如果包覆离子比较少的迁移到本体,那就可以认为是包覆了。
4楼2013-12-01 22:15:35
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myh5158

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
可以同时进行,没有问题的,包覆一般是碳包覆,二掺杂则是离子掺杂,通过这两种方法,提高其导电性,请知悉
8楼2013-12-02 13:47:45
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普通回帖

胡琪

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖


感谢参与,应助指数 +1
2012101984: 金币+1, 有帮助 2013-12-02 11:23:31
这个可以做扫描电镜和透射电镜,进行一系列的表征就可以证明是包覆还是参杂的,或者做红外紫外等等,如果是参杂会造成一些性质的变化。
天地任我行
2楼2013-11-30 09:58:13
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2012101984

金虫 (正式写手)

还有其他解释吗?
3楼2013-12-01 09:27:58
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2012101984

金虫 (正式写手)

引用回帖:
4楼: Originally posted by 轼之 at 2013-12-01 22:15:35
这个也要参考离子的迁移率,如果迁移率快的话,在焙烧的过程中会进入本体的晶胞中,就是掺杂了。如果包覆离子比较少的迁移到本体,那就可以认为是包覆了。

那这么说,我本来要做包覆,结果也有可能变成掺杂了?
5楼2013-12-02 08:19:15
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dudi40562017

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖


感谢参与,应助指数 +1
2012101984: 金币+1, 有帮助 2013-12-02 11:23:15
一般来说,烧结温度较高时,元素会进入晶格中,实现掺杂。经过球磨混合后较低温度处理,元素包覆在表面。当然处理温度较高的话,元素也会进入晶格中
6楼2013-12-02 08:53:38
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轼之

铁杆木虫 (正式写手)

引用回帖:
5楼: Originally posted by 2012101984 at 2013-12-02 08:19:15
那这么说,我本来要做包覆,结果也有可能变成掺杂了?...

是的,要看是什么金属离子,如果像一般地Al的话,应该会进入晶胞中。还有要看你焙烧的温度。
7楼2013-12-02 10:19:32
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biger

铜虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
包覆参杂一般都会同时进行的,但参杂需要的能量要大于包覆,一般的话基本都是包覆在起主要作用,当高温高压处理时参杂可能就发挥主要作用了
恍惚间发现自己真老了
9楼2013-12-02 14:13:44
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2013110

金虫 (小有名气)

引用回帖:
7楼: Originally posted by 轼之 at 2013-12-02 10:19:32
是的,要看是什么金属离子,如果像一般地Al的话,应该会进入晶胞中。还有要看你焙烧的温度。...

焙烧温度对掺杂影响很大吗?
10楼2014-01-09 15:05:21
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