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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 电化学 » 电化基础 » 虚心请教，认真回答！关于包覆和掺杂的问题
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2012101984

金虫 (正式写手)

[求助] 虚心请教，认真回答！关于包覆和掺杂的问题

首先是包覆与掺杂的区别，就字面来说我肯定能理解，掺杂是说元素进入到结构中，而包覆是在核心材料的外面形成的薄膜。可我看那文献时，他们的合成方法基本一样，可以通过球磨混，也可以共沉淀时一起加进去。过程都是这样的，怎么说包覆就是包覆，说掺杂就是掺杂了呢？
其次，我想请教一下，包覆和改性同时进行，行得通吗？有哪些问题？
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1楼 2013-11-29 21:24:57
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回帖支持 ( 显示支持度最高的前 50 名 )

轼之

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★
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2012101984: 金币+1, ★有帮助 2013-12-02 11:23:06
这个也要参考离子的迁移率，如果迁移率快的话，在焙烧的过程中会进入本体的晶胞中，就是掺杂了。如果包覆离子比较少的迁移到本体，那就可以认为是包覆了。
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4楼2013-12-01 22:15:35
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myh5158

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
可以同时进行，没有问题的，包覆一般是碳包覆，二掺杂则是离子掺杂，通过这两种方法，提高其导电性，请知悉
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8楼2013-12-02 13:47:45
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普通回帖

胡琪

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
2012101984: 金币+1, ★有帮助 2013-12-02 11:23:31
这个可以做扫描电镜和透射电镜，进行一系列的表征就可以证明是包覆还是参杂的，或者做红外紫外等等，如果是参杂会造成一些性质的变化。
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天地任我行
2楼2013-11-30 09:58:13
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2012101984

金虫 (正式写手)
还有其他解释吗？
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3楼2013-12-01 09:27:58
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2012101984

金虫 (正式写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by 轼之 at 2013-12-01 22:15:35
这个也要参考离子的迁移率，如果迁移率快的话，在焙烧的过程中会进入本体的晶胞中，就是掺杂了。如果包覆离子比较少的迁移到本体，那就可以认为是包覆了。

那这么说，我本来要做包覆，结果也有可能变成掺杂了？
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5楼2013-12-02 08:19:15
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dudi40562017

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
2012101984: 金币+1, ★有帮助 2013-12-02 11:23:15
一般来说，烧结温度较高时，元素会进入晶格中，实现掺杂。经过球磨混合后较低温度处理，元素包覆在表面。当然处理温度较高的话，元素也会进入晶格中
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6楼2013-12-02 08:53:38
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轼之

铁杆木虫 (正式写手)
引用回帖:
5楼: Originally posted by 2012101984 at 2013-12-02 08:19:15
那这么说，我本来要做包覆，结果也有可能变成掺杂了？...

是的，要看是什么金属离子，如果像一般地Al的话，应该会进入晶胞中。还有要看你焙烧的温度。
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7楼2013-12-02 10:19:32
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biger

铜虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
包覆参杂一般都会同时进行的，但参杂需要的能量要大于包覆，一般的话基本都是包覆在起主要作用，当高温高压处理时参杂可能就发挥主要作用了
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恍惚间发现自己真老了
9楼2013-12-02 14:13:44
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2013110

金虫 (小有名气)
引用回帖:
7楼: Originally posted by 轼之 at 2013-12-02 10:19:32
是的，要看是什么金属离子，如果像一般地Al的话，应该会进入晶胞中。还有要看你焙烧的温度。...

焙烧温度对掺杂影响很大吗？
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10楼2014-01-09 15:05:21
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