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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » 其他 » 晶体得失电子能力计算
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huijiany

铁杆木虫 (正式写手)

[交流] 晶体得失电子能力计算

在做第一性原理计算的时候会涉及到材料得失电子能力。对于原子来说，直接加一个电子、减一个电子，比较他们与电中性时的能量差距。然而，对于块体材料，如何处理？
（1）加减一个一个电子。缺点，在块体材料中，得失电子会引起晶格带点，计算结果不合理
（2）表面对H、O的吸附活性。缺点：表面活性和很多特性有关，吸附位置等
（3）阴离子、氧离子缺陷形成能。是否可行，大家讨论一下
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1楼 2013-11-13 18:05:47
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jpchou

专家顾问 (著名写手)
★
huijiany(金币+1): 谢谢参与
引用回帖:
2楼: Originally posted by KalaShayminS at 2013-11-13 22:56:37
直接取最高能级和真空能级之差即可，但是DFT计算的能级有误差。
功函数就表征了此能力，有很多相关文献。

這.....
他所要討論的系統不是 bulk 嬤~
bulk system 要怎麼得到真空能級呢 @_@???

(問題看起?硎且懻揃ULK
  不過第二點為什麼忽然跳到表面去??)
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9楼2013-11-14 00:27:44
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KalaShayminS

铁杆木虫 (著名写手)
★
huijiany(金币+1): 谢谢参与
直接取最高能级和真空能级之差即可，但是DFT计算的能级有误差。
功函数就表征了此能力，有很多相关文献。
赞一下 回复此楼
2楼2013-11-13 22:56:37
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huijiany

铁杆木虫 (正式写手)
???????:
9?: Originally posted by jpchou at 2013-11-14 00:27:44
?.....
???????????y???? bulk ??~
bulk system ????N??????????? @_@???

(???}???????????BULK
  ???^????c????N??????????????)...

???????bulk?????????????????????????Ч??????
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13楼2013-11-14 07:11:08
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zhchzhsh207610楼
2013-11-14 00:42   回复  
huijiany(金币+1): 谢谢参与
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