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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 电化学 » 电化基础 » 同位镀汞测定镉，条件参数
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yangyanning

金虫 (小有名气)

[求助] 同位镀汞测定镉，条件参数

最近在做同位镀汞测定镉，听说预镀汞膜方法的灵敏度没有同位镀汞的高
可是在做的时候用了很多种伏安法都不能得出比较好的曲线。
求I-T的参数和DPV的参数。。。
先谢谢大家了
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1楼 2013-10-30 10:46:31
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紫月7599

铁杆木虫 (小有名气)
引用回帖:
8楼: Originally posted by yangyanning at 2013-11-03 10:26:13
可是我没有恒电位这个啊QAQ...

怎么可能呢，就是i-t时间电流曲线啊
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9楼2013-11-04 08:52:20
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紫月7599

铁杆木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
用差分脉冲同位镀汞吧，Hg 0.5ppm就够了富集-1400mV，时间120s，脉冲宽度0.05s，脉冲周期0.2s，取样宽度0.02s
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2楼2013-10-30 12:44:55
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yangyanning

金虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 紫月7599 at 2013-10-30 12:44:55
用差分脉冲同位镀汞吧，Hg 0.5ppm就够了富集-1400mV，时间120s，脉冲宽度0.05s，脉冲周期0.2s，取样宽度0.02s

那沉积是用哪种方法呢。。。？
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3楼2013-10-31 14:28:24
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紫月7599

铁杆木虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by yangyanning at 2013-10-31 14:28:24
那沉积是用哪种方法呢。。。？...

沉积用恒电位，要搅拌
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4楼2013-11-02 12:00:49
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