| 查看: 1438 | 回复: 1 | ||
[求助]
单结的硅薄膜电池的暗态时的IV曲线异常不过零点，求助！！！！
|
电池的结构是glass/FTO/p-Si/Si/n-Si/Ag.其中硅薄膜是通过PECVD设备制备，Ag用磁控溅射设备制备。在测暗态的IV曲线时，发现当电压从-1增加到0，或是从1降到零，当电压为零时，电流都不为零。但是当从0到1V，或是0到-1V时，就过零点了。这里感觉有电容的充放电过程，不知对不对？问题到底出在哪了。请各位帮着看看。谢谢 -1-0.jpg [ Last edited by ddwxq on 2013-10-17 at 18:04 ] |
回复此楼» 猜你喜欢
计算机、0854电子信息（085401-058412）调剂
已经有5人回复
-
国自然申请面上模板最新2026版出了吗？
已经有13人回复
-
基金委咋了？2026年的指南还没有出来？
已经有3人回复
-
Materials Today Chemistry审稿周期
已经有5人回复
-
溴的反应液脱色
已经有7人回复
-
推荐一本书
已经有12人回复
-
基金申报
已经有4人回复
-
纳米粒子粒径的测量
已经有7人回复
-
常年博士招收(双一流，工科)
已经有4人回复
-
参与限项
已经有5人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 有谁做硅电池表面的透明薄膜以及发光材料的吗？
已经有9人回复
- 【求助】咨询非晶硅薄膜电池的制作工艺、测试等问题
已经有6人回复
chandlerbing
铜虫 (小有名气)
- 应助: 1 (幼儿园)
- 金币: 90.5
- 帖子: 94
- 在线: 7.3小时
- 虫号: 499937
- 注册: 2008-02-13
- 性别: GG
- 专业: 半导体材料
2楼2013-10-18 07:29:34