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单结的硅薄膜电池的暗态时的IV曲线异常不过零点，求助！！！！
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电池的结构是glass/FTO/p-Si/Si/n-Si/Ag.其中硅薄膜是通过PECVD设备制备，Ag用磁控溅射设备制备。在测暗态的IV曲线时，发现当电压从-1增加到0，或是从1降到零，当电压为零时，电流都不为零。但是当从0到1V，或是0到-1V时，就过零点了。这里感觉有电容的充放电过程，不知对不对？问题到底出在哪了。请各位帮着看看。谢谢 -1-0.jpg [ Last edited by ddwxq on 2013-10-17 at 18:04 ] |
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