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【求助】咨询非晶硅薄膜电池的制作工艺、测试等问题
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计划在带有ITO电极的玻璃片上用PECVD依次沉积P型(10nm)、I型(280nm)和N型(20nm)的非晶硅薄膜形成PIN二极管结构,然后在N型薄膜上表面溅射Al膜作为上电极。 工艺步骤比较简单,但我从来没有做过,只是从文献中了解了一些。有很多细节问题不是特别懂,特来向大家求助: 1. ITO和P型非晶硅,以及N型非晶硅和Al之间的界面上要形成非常好的欧姆接触电极,需要高浓度掺杂。而为了得到良好的整流特性,PIN结处的P型、N型非晶硅的掺杂浓度可能不需要太高。所以P型(10nm)、N型(20nm)非晶硅薄膜的掺杂浓度需要非常好的控制。请问P型、N型非晶硅的掺杂浓度该控制在什么量级? 2. 掺杂浓度该如何测量?书上讲一般的掺杂浓度(比如>1e18)都可以用四探针法测量,请问对应的仪器名称叫什么? 谢谢先! |
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2楼2011-02-25 13:10:36
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小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
lpszk(金币+3): 谢谢回帖 2011-02-26 04:37:04
ylkitty(金币+5): 非常感谢您的建议!我就按照这两本书好好学习学习!谢谢谢谢! 2011-02-26 10:58:28
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
lpszk(金币+3): 谢谢回帖 2011-02-26 04:37:04
ylkitty(金币+5): 非常感谢您的建议!我就按照这两本书好好学习学习!谢谢谢谢! 2011-02-26 10:58:28
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ITO并不是理想的非晶硅太阳电池的前电极选择,其中的铟离子会很快扩散到硅薄膜中,导致结变坏。通常都是用ITO做最后一道电极。 SnO2和ZnO是前电极的理想选择。 你到底要的是整流还是欧姆接触?这两者是不同的概念,不能同一而论。 四探针只是测量材料的电导率,并不能告诉你掺杂浓度是多少,最接近准确的掺杂浓度测量是SIMS。一般也不需要做这个昂贵的测试,一般暗电导率达到要求就认为掺杂浓度足够了。 你确实知识很空白,你的导师呢?怎么不指导你先多读点文献资料,多打一下理论知识再动手实验啊? 理论书籍很多,不建议你看很多二道贩子的书籍,都是人云亦云,错了都不知道。看经典书籍, street写的半导体非晶硅书籍是最经典的, 还有arun madan写的《the physics and applications of amorphous semiconductors》这本书是实验理论指导书籍,里面具体从实验理论讲述了非晶硅电池材料和器件,非常有用。 |
3楼2011-02-26 03:24:07
4楼2011-02-26 11:04:22
5楼2011-02-26 11:08:23
6楼2011-02-26 12:13:18
7楼2011-02-27 09:17:10













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