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CVD法在Ni上长graphene为什么需要快速降温?
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Angusskanal
木虫
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虫号: 1804089
[交流]
CVD法在Ni上长graphene为什么需要快速降温?
有什么道理吗?如果说快降温是为了淅出,慢降温淅不出来的话,好像不合理吧?慢降温有足够的时间往外淅,快降温反而来不及淅。哪位知道真相?谢谢。
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2013-10-12 15:42:12
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CNT.64bit
银虫
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★
Angusskanal(金币+1): 谢谢参与
我觉得慢降温得到的应该比较厚
快速降温和淬火应该是一个道理的
钢铁淬火是让外部快速结晶提高外部硬度同时保持内部的柔韧度
因为理论上来说 结晶过程越漫长,结晶度越高,但是如果是为了得到单层的话,只是需要局部快速结晶而其他部分保持无定形形态
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7楼
2013-10-12 22:56:42
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木虫
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★
Angusskanal(金币+1): 谢谢参与
可能慢慢析出会比较厚吧,快速降温析出的薄
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2楼
2013-10-12 16:09:17
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wulishi8
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★
Angusskanal(金币+1): 谢谢参与
快速降温才能达到析出并且高结晶的目的。
类似的,你看那个淬火的过程,直接将温度很高的材料放入水中,而不是缓慢降温。
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4楼
2013-10-12 18:34:03
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Angusskanal
木虫
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虫号: 1804089
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4楼
:
Originally posted by
wulishi8
at 2013-10-12 18:34:03
快速降温才能达到析出并且高结晶的目的。
类似的,你看那个淬火的过程,直接将温度很高的材料放入水中,而不是缓慢降温。
那么慢降温,会得到什么样的结果呢?
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5楼
2013-10-12 19:47:18
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chlq314101a
3楼
2013-10-12 16:17
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Angusskanal(金币+1): 谢谢参与
wwangwanhu
9楼
2013-10-12 23:07
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Angusskanal(金币+1): 谢谢参与
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