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关于应变硅工艺上的问题。
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“应变硅可通过在硅表面生长硅鍺材料实现、随鍺浓度增加的梯度SiGe可以生长在硅表面而没有大的晶格失配。当驰豫的SiGe层淀积后，外延生长一层硅层，这层硅晶格结构与下方SiGe层相同、形成应变硅层”——《半导体工艺制造导论（萧宏）》第二版第83页、电子工业出版社。 求问：1、为什么要生长不同Ge浓度的SiGe层？什么叫驰豫？google后发现wikipedia里面介绍的核磁共振的概念。 2、施加应力的时候、发生晶格变化的是上下硅层、还是中间的SiGe梯度变化层？我猜是后者、但不知道为什么。 谢谢！ |
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【答案】应助回帖
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chen2b: 金币+14, ★★★很有帮助 2013-10-13 08:55:12
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chen2b: 金币+14, ★★★很有帮助 2013-10-13 08:55:12
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求问：1、为什么要生长不同Ge浓度的SiGe层？什么叫驰豫？google后发现wikipedia里面介绍的核磁共振的概念。 生长不同浓度的Ge是为了得到生长质量好的SiGe应变层，因为在Si和SiGe接触的表面处为晶格失配最严重的地方，想象一下，如果在一个有限的空间里，下面是小球，如果你塞入更多的大球，小球受到的挤压会很大，如果超出空间的限制，小球不受空间的束缚，超出它的排列规则，回到不受挤压的状态，可称之为弛豫，也就是strain relax。所以在有时候要得到高Ge组分的SiGe，前面必须要有SiGe浓度渐变层或者称之为缓冲层，避免浓度过大，应变释放，所谓的核磁共振是从晶格振动理论来解释的。 2、施加应力的时候、发生晶格变化的是上下硅层、还是中间的SiGe梯度变化层？我猜是后者、但不知道为什么。 施加外部应力的时候，只要有不同的Ge含量，都会有晶格的变化，这里的变化有正向的，也有负向的，取决于你加了多少的Ge，和你的工艺条件 以上是我的拙见，供参考讨论 |
2楼2013-10-12 09:08:38
3楼2013-10-13 09:19:57
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