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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 利用电子束蒸镀在Cu上生长Si薄膜，可以长出Si的单晶吗
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fdhsf2012

铁虫 (小有名气)

[求助] 利用电子束蒸镀在Cu上生长Si薄膜，可以长出Si的单晶吗

各位大神，请教下一般利用电子束蒸镀在Cu上生长Si薄膜，可以长出Si的单晶吗？
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做最好的自己
1楼 2013-08-28 16:15:08
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
电子束？没听过能长单晶的。
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2楼2013-08-28 16:42:34
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马踏冰河

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
几乎不可能  即使是在单晶铜上用外延的方法都不怎么可能
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3楼2013-08-28 16:48:55
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fdhsf2012

铁虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by 马踏冰河 at 2013-08-28 16:48:55
几乎不可能  即使是在单晶铜上用外延的方法都不怎么可能

用分子束外延都不行吗？那Si能够长上去吗？
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做最好的自己
4楼2013-08-28 16:51:06
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马踏冰河

铁杆木虫 (著名写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by fdhsf2012 at 2013-08-28 16:51:06
用分子束外延都不行吗？那Si能够长上去吗？...

长单晶的对两材料的晶格适配性好  真空度比较高
我认为这是很难的  当然这也不绝对  只是我的看法
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5楼2013-08-28 16:54:42
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zhangxqustc

铁虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
我觉得应该是非晶的。你的衬底都没有加热，蒸上去的Si就冻结在衬底上。怎么能形成晶体呢？
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永恒
6楼2013-08-28 23:32:45
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quanten

金虫 (著名写手)

QQ群(NW-FET): 157220400

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
要是可以，做外延的就嗝屁了
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7楼2013-08-29 00:03:14
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fdhsf2012

铁虫 (小有名气)
引用回帖:
5楼: Originally posted by 马踏冰河 at 2013-08-28 16:54:42
长单晶的对两材料的晶格适配性好  真空度比较高
我认为这是很难的  当然这也不绝对  只是我的看法...

你好，那你认为有可能通过退火使结晶性能提高吗？
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做最好的自己
8楼2013-08-29 09:51:42
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yuan999

专家顾问 (知名作家)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
查一下相关文献看看，如果有，可以试一试
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我~心~依~旧
9楼2013-08-29 09:59:20
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马踏冰河

铁杆木虫 (著名写手)
引用回帖:
8楼: Originally posted by fdhsf2012 at 2013-08-29 09:51:42
你好，那你认为有可能通过退火使结晶性能提高吗？...

这应该可以  像上面所说  可能会生成非晶膜
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10楼2013-08-29 10:16:19
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