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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 利用电子束蒸镀在Cu上生长Si薄膜，可以长出Si的单晶吗
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fangzhonga

银虫 (初入文坛)
晶格不适配，单晶硅不可能长上去的。即使是非晶硅长上去，也有可能是碎的。
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11楼2013-09-02 22:04:18
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fdhsf2012

铁虫 (小有名气)
引用回帖:
11楼: Originally posted by fangzhonga at 2013-09-02 22:04:18
晶格不适配，单晶硅不可能长上去的。即使是非晶硅长上去，也有可能是碎的。

嗯，我尝试过，电镜照片好像看上去好像是有碎的，有没有什么办法让他不碎呢？
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做最好的自己
12楼2013-09-02 22:56:59
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fangzhonga

银虫 (初入文坛)
引用回帖:
12楼: Originally posted by fdhsf2012 at 2013-09-02 22:56:59
嗯，我尝试过，电镜照片好像看上去好像是有碎的，有没有什么办法让他不碎呢？...

没试过，我都是先在金属上长氧化硅或者氮化硅，然后再长非晶硅。
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13楼2013-09-03 09:46:01
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1029511774

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

引用回帖:
8楼: Originally posted by fdhsf2012 at 2013-08-29 09:51:42
你好，那你认为有可能通过退火使结晶性能提高吗？...

采用退火技术的话，也只是形成多晶硅，单晶硅就不行了啦
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14楼2013-09-03 09:49:00
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fdhsf2012

铁虫 (小有名气)
引用回帖:
13楼: Originally posted by fangzhonga at 2013-09-03 09:46:01
没试过，我都是先在金属上长氧化硅或者氮化硅，然后再长非晶硅。...

嗯，谢谢。那根据你的经验一般长多少就差不多了？
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做最好的自己
15楼2013-09-03 18:32:53
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fangzhonga

银虫 (初入文坛)
引用回帖:
15楼: Originally posted by fdhsf2012 at 2013-09-03 18:32:53
嗯，谢谢。那根据你的经验一般长多少就差不多了？...

一两百纳米就够了。另外，退火也能使薄膜质量变好，不过就不是非晶硅了。
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16楼2013-09-04 15:12:36
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飞行鸟

至尊木虫 (文坛精英)

【答案】应助回帖

我觉得不行哎，只能成非晶
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快乐吧
17楼2013-09-04 15:39:55
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