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xunmengyuan

禁虫 (正式写手)
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1楼2013-08-27 14:09:09
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phu_grassman

荣誉版主 (知名作家)

快乐岛、布吉岛岛主

优秀版主
★ ★
hanches: 金币+2, 热心应助有奖~~~ 2013-08-27 20:25:35
A transition layer of SiO2 was applied to prevent the picked-up defects between the channel layer and the gate insulator when the samples were switched from ALD to RF sputtering.
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xunmengyuan
4楼2013-08-27 19:24:44
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xchzhi

至尊木虫 (知名作家)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
xunmengyuan: 金币+5, ★有帮助 2013-08-27 15:46:58
hanches: 金币+2, 热心应助有奖~~~ 2013-08-27 20:25:05
A SiO2 layer was used as a buffer layer between channel layer and gate insulator to avoid the defects picked up when the samples were switched from ALD to RF sputtering.
这样是否好些。
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2楼2013-08-27 14:15:05
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xionglll

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
xunmengyuan: 金币+5, ★★★很有帮助 2013-08-27 15:47:11
hanches: 金币+2, 感谢应助，BB奖励~~~ 2013-08-27 20:25:13
To prevent the defects picked up, a SiO2 layer was used to be a buffer layer between channel layer and gate insulator, when the samples were switched from ALD to RF sputtering.句子不要太长，可以适当分割，这样看着舒服一些
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3楼2013-08-27 14:36:32
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xunmengyuan

禁虫 (正式写手)
送红花一朵
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5楼2013-08-27 20:50:14
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