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木虫 (正式写手)

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[交流] 关于XRD衍射峰强度与晶体取向生长的关系的理论依据标题长一点~~~~~~~~~~~~~~

研究材料的同志们应该都知道对于一个样品（纳米，微米级的粉末与同尺寸尺度下的薄膜样品）中不同衍射峰与标准卡片的相对强度比较可以用来推测晶粒的择优取向方向，但是很久以来，自己心里一直有几个疑问，想请各位大虾们指教一下，谢谢哈！

1 什么是择优取向？有没有一个准确定义呢，比如说，垂直于衍射峰所对应的晶面方向的生长得到优先生长，（(001)对应衍射峰强度相对升高，说明延[001]方向有取向生长）是这样的定义吗？有没有理论依据呢？

2 若上述1中定义成立，那么某个衍射峰相对强度异常升高一定会得到择优取向的现象吗？从理论上来讲，衍射峰强度升高，说明衍射仪再该衍射峰所在2theta角度，即扫描该角度对应晶面间距时收到的信号变强，也就是该样品在晶面间距发出的信号增多。

简单说，就是样品中可以测得的这个晶面变多了。这里，我有个不太懂的地方，也就是晶面变多是不是有两种可能的，一种可能是晶面的堆积，也就是垂直于晶面方向的取向生长会引起上述变化，也就是1中所提到的择优取向（前提是1中定义无误），比如棒状或者丝状一维生长的结构；二种则是在平行于该晶面方向有着优势生长，比如盘状，片状二维生长结构。

敢问各位大虾这两种情况是不是都可以引起衍射峰强度升高的？实验室里大家对这个概念往往都是普遍认同前一种，也是论坛里经常说到的情况，但是我自己一直不能完全接受，但是又不愿意与老板讨论，所以到这里问问大家，请问有没有准确的解释的？

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1楼 2013-08-14 20:04:04

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木虫 (正式写手)

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引用回帖:

56楼: Originally posted by falloutts at 2013-08-15 17:26:09
附两篇文章供参考，这两篇文章涉及了样品择优取向对XRD图谱的影响。

第一篇文章(BY择优取向XRD那篇)给出了两个XRD谱和对应的样品电镜图，非常清楚的展示了具有择优取向的样品对衍射峰的影响：
MoO3微米片即使是 ...

非常感谢，您的回答已经很详细了，我好好看看附件中的文献

对于您的回答，我还有个问题请教一下：

关于“择优取向” ，这个概念我一直还是不是很明确，我是这样理解的，您看看这样说是否合适。

对于本帖子中所讨论的对象，也就是样品，首先样品本身要具有取向生长或者说选择性的暴露出某些特殊的晶面，再通过XRD制样时利用合理的方式（如有机溶剂分散等）处理，最终会出现不同衍射峰对标准卡片相对强度发生变化的现象，是这样的吧？

那么由上述中所述过程中，"择优取向"指的是并非样品本身的晶化特征，而应该为制得的XRD测试样中样品在基底上的放置状态具有统一的特征，该特征被称为“择优取向”，您看是否是这样的结论呢？