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木虫 (正式写手)

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[交流] 关于XRD衍射峰强度与晶体取向生长的关系的理论依据标题长一点~~~~~~~~~~~~~~

研究材料的同志们应该都知道对于一个样品（纳米，微米级的粉末与同尺寸尺度下的薄膜样品）中不同衍射峰与标准卡片的相对强度比较可以用来推测晶粒的择优取向方向，但是很久以来，自己心里一直有几个疑问，想请各位大虾们指教一下，谢谢哈！

1 什么是择优取向？有没有一个准确定义呢，比如说，垂直于衍射峰所对应的晶面方向的生长得到优先生长，（(001)对应衍射峰强度相对升高，说明延[001]方向有取向生长）是这样的定义吗？有没有理论依据呢？

2 若上述1中定义成立，那么某个衍射峰相对强度异常升高一定会得到择优取向的现象吗？从理论上来讲，衍射峰强度升高，说明衍射仪再该衍射峰所在2theta角度，即扫描该角度对应晶面间距时收到的信号变强，也就是该样品在晶面间距发出的信号增多。

简单说，就是样品中可以测得的这个晶面变多了。这里，我有个不太懂的地方，也就是晶面变多是不是有两种可能的，一种可能是晶面的堆积，也就是垂直于晶面方向的取向生长会引起上述变化，也就是1中所提到的择优取向（前提是1中定义无误），比如棒状或者丝状一维生长的结构；二种则是在平行于该晶面方向有着优势生长，比如盘状，片状二维生长结构。

敢问各位大虾这两种情况是不是都可以引起衍射峰强度升高的？实验室里大家对这个概念往往都是普遍认同前一种，也是论坛里经常说到的情况，但是我自己一直不能完全接受，但是又不愿意与老板讨论，所以到这里问问大家，请问有没有准确的解释的？

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1楼 2013-08-14 20:04:04

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引用回帖:

14楼: Originally posted by xiejf at 2013-08-14 21:24:50
如果研磨的话就没关系了。主要是考虑与取向会不会受基底影响。

谢谢您的回答，但是您的回答我不太明白。
1 请问这里研磨指的是粒径大小不一的状况是吗？

对几百纳米的粉体形貌有多大影响呢？在实验室中液相合成得到的粉体已经非常细了，后处理得当的话完全不用研磨，扫描电镜下观察粒径分布在300-500nm之间，这样的情况下，研磨与否是否会对帖子里我提到的问题产生什么影响吗？

2 再问一个问题哈，对于粉末样品，在实验中遇到过这样的情况，就是XRD衍射峰中明显增强的峰所得的取向生长方向与HRTEM表征中得到的结果不一致，一般是以HRTEM中的结果为准。那么产生这样的差别是我的表征方法有误，还是说理论上也是可以解释的通的呢？为什么呢？

3 您说的与基底的影响，是不是指的是薄膜样品的情况呢？
如果是薄膜样品的话，不是应该先判断取向是否有变化，再由取向是否与基底有关系吗？还是说先判断基底是否有影响，然后在判断取向是否有变化？

[ Last edited by smlglw on 2013-8-14 at 22:37 ]