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lwb870525

木虫 (著名写手)


[交流] 请教几个关于GaN发光材料的问题

1、文献中有提到这样一个英文词组“threading dislocation”,这个该怎么译?(位错的话,刃型位错edge dislocations,螺型位错screw dislocations都有自己的译法)看到有说翻译为螺型位错的,感觉不太对?

2、HRXRD测试GaN(002)和(102)面的Omega-2theta扫描和2theta扫描得到的rocking curve,这两种扫描方式本质的区别是什么?反应GaN晶体质量好坏的(即FWHM的值,好像是是用弧秒单位的)是用哪种方式扫描出的结果呢?

3、P-AlGaN对电子的阻挡作用可防止电子从有源区溢出,那么它对P型GaN的空穴向量子阱注入有阻挡吗?
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yyman660

木虫 (著名写手)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
2楼: Originally posted by yyman660 at 2013-07-21 19:22:47
1,穿透位错,不要太纠结中文名翻译。
2,102非对称面扫描更多的反映位错的信息
3,AlGaN电子阻挡层的争议到现在还没解决,你可以搜下相关论文,发了很多了
你是刚开始做生长吗,哪家的?
...

不客气,多看些早期的晶体生长的文章

[ 发自小木虫客户端 ]
3楼2013-07-25 11:33:32
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yyman660

木虫 (著名写手)


★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
lwb870525: 金币+10, 谢谢了,现在刚学习外延,很多都不懂,以后还麻烦您不吝赐教。 2013-07-22 21:10:16
1,穿透位错,不要太纠结中文名翻译。
2,102非对称面扫描更多的反映位错的信息
3,AlGaN电子阻挡层的争议到现在还没解决,你可以搜下相关论文,发了很多了
你是刚开始做生长吗,哪家的?

[ 发自小木虫客户端 ]
2楼2013-07-21 19:22:47
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