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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 半导体 » 请教几个关于GaN发光材料的问题
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lwb870525

木虫 (著名写手)

[交流] 请教几个关于GaN发光材料的问题

1、文献中有提到这样一个英文词组“threading dislocation”，这个该怎么译？（位错的话，刃型位错edge dislocations，螺型位错screw dislocations都有自己的译法）看到有说翻译为螺型位错的，感觉不太对？

2、HRXRD测试GaN（002）和（102）面的Omega-2theta扫描和2theta扫描得到的rocking curve，这两种扫描方式本质的区别是什么？反应GaN晶体质量好坏的（即FWHM的值，好像是是用弧秒单位的）是用哪种方式扫描出的结果呢？

3、P-AlGaN对电子的阻挡作用可防止电子从有源区溢出，那么它对P型GaN的空穴向量子阱注入有阻挡吗？
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1楼 2013-07-21 18:29:15
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yyman660

木虫 (著名写手)
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
lwb870525: 金币+10, 谢谢了，现在刚学习外延，很多都不懂，以后还麻烦您不吝赐教。 2013-07-22 21:10:16
1，穿透位错，不要太纠结中文名翻译。
2，102非对称面扫描更多的反映位错的信息
3，AlGaN电子阻挡层的争议到现在还没解决，你可以搜下相关论文，发了很多了
你是刚开始做生长吗，哪家的？

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2楼2013-07-21 19:22:47
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yyman660

木虫 (著名写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
2楼: Originally posted by yyman660 at 2013-07-21 19:22:47
1，穿透位错，不要太纠结中文名翻译。
2，102非对称面扫描更多的反映位错的信息
3，AlGaN电子阻挡层的争议到现在还没解决，你可以搜下相关论文，发了很多了
你是刚开始做生长吗，哪家的？
...

不客气，多看些早期的晶体生长的文章

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3楼2013-07-25 11:33:32
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