| 查看: 2216 | 回复: 2 | ||
| 当前只显示满足指定条件的回帖,点击这里查看本话题的所有回帖 | ||
wangsheng7金虫 (小有名气)
|
[求助]
急,请问如何选择干法刻蚀(RIE)金属氧化物薄膜的气体?(用来刻蚀ZnO薄膜等)
|
|
|
希望通过干法刻蚀(反应等离子气刻蚀 RIE) ZnO、SnO2、ITO 等金属氧化物,用不锈钢或Au、Ag膜作掩膜,选择哪种刻蚀工作气体好呢? 以前看文献有用CH4/H2来刻蚀ITO的,但国内好像没有,能用Cl2等来刻蚀吗? [ Last edited by wangsheng7 on 2013-7-18 at 16:47 ] |
» 猜你喜欢
请问对标matlab的开源软件octave的网站https://octave.org为什么打不开?
已经有1人回复
求助两种BiOBr晶体的CIF文件(卡片号为JCPDS 09-0393与JCPDS 01-1004 )
已经有0人回复
金属材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有109人回复
哈尔滨工程大学材化学院国家级青年人才-26年硕士招生
已经有0人回复
求助Fe-TCPP、Zn-TCPP的CIF文件,或者CCDC号
已经有0人回复
河北大学-26年秋季入学申请考核制-化学博士1名
已经有0人回复
XPS/?λXPS
已经有0人回复
» 本主题相关价值贴推荐,对您同样有帮助:
用廉价的铜布线实现大尺寸触摸面板
已经有5人回复
PLD制备两相复合薄膜,为什么XRD测试不出其中金属氧化物的衍射峰
已经有11人回复
cord
铁杆木虫 (著名写手)
- 应助: 186 (高中生)
- 金币: 8374.9
- 散金: 206
- 红花: 16
- 帖子: 1745
- 在线: 206.7小时
- 虫号: 514399
- 注册: 2008-02-29
- 性别: GG
- 专业: 半导体晶体与薄膜材料
3楼2013-07-31 03:21:18
2楼2013-07-30 15:20:38













回复此楼