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计算超原胞的能带时,k点坐标怎么选取?
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模拟半导体掺杂或者模拟半导体固溶体,需要用到超原胞,计算超原胞的能带时,k点的坐标怎么选取? 对称性改变后,k点的坐标肯定改变了。具体怎么找呢? 比如,在计算半导体合金时,如果要跟没有形成固溶体前材料的能带作对比的话,要找到对应的点,未形成固溶体前是间接带隙,Eg(G-X)。形成固溶体后的X点的坐标与纯净的材料的X点坐标不同。那么形成固溶体后的X点的坐标如何确定? 欢迎大家提供相关的参考资料。谢谢! |
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