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计算超原胞的能带时，k点坐标怎么选取？
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模拟半导体掺杂或者模拟半导体固溶体，需要用到超原胞，计算超原胞的能带时，k点的坐标怎么选取？ 对称性改变后，k点的坐标肯定改变了。具体怎么找呢？ 比如，在计算半导体合金时，如果要跟没有形成固溶体前材料的能带作对比的话，要找到对应的点，未形成固溶体前是间接带隙，Eg(G-X)。形成固溶体后的X点的坐标与纯净的材料的X点坐标不同。那么形成固溶体后的X点的坐标如何确定？ 欢迎大家提供相关的参考资料。谢谢！ |
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xiaohe667788
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