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Nano-mse

金虫 (小有名气)

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[求助] 如何通过UV吸收曲线计算direct bandgap和indirect-bandgap

急问！如果只有UV吸收曲线(横坐标为波长，纵坐标为吸收值)，如何将其转化为那个可以得到直接带隙和间接带隙的图谱（横坐标为能量，纵坐标为吸收系数的2次方或者1/2次方）？非常感谢！！

PS: 在论坛里找了几个，但是都没有给予清晰讲解的，很晕，希望可以得到解答，非常感谢您！

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1楼 2013-06-26 19:10:55

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ca0yan9

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【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
Nano-mse: 金币+10, ★★★很有帮助, 谢谢您！我能再咨询两个直接的问题吗？用液相（装入比色皿）法测吸收求直接和间接带隙（得到的是吸收度和波长曲线）该用那个您说的哪个方法？如果是把材料沉积在石英片上，该用哪个方法？非常感谢您！很急，希望能够得到您的进一步指点 2013-06-29 10:35:10

液体紫外中没有反射球，固体紫外中测到的就是反射率，液体测到的是吸收度，而不是反射率对于液体紫外来说，1-A（absorbance）=T(transmit).就是说液体紫外没有反射的问题，这是由仪器的测试原理所决定的吧，

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6楼2013-06-29 09:45:10

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ca0yan9

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小木虫幼儿园荣誉园长

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【答案】应助回帖

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感谢参与，应助指数 +1
Nano-mse: 金币+10, ★★★很有帮助, 非常感谢您，您的方法2-4就是我想问的。还有请问，如果是液相法测得的数据，该用哪个方法呢？方法2吗？方法4是不是对于各种测试方法都适用呢？ 2013-06-26 20:44:19

方法1：利用紫外可见漫反射测量中的吸光度与波长数据作图，利用截线法做出吸收波长阈值λg(nm)，
利用公式 Eg=1240/λg (eV) 计算禁带宽度。
方法2：利用(Ahν)2 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用(Ahν)0.5
对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为直
接半导体禁带宽度值。A (Absorbance) 即为紫外可见漫反射中的吸光度。
方法3：利用(αhν)2 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用(αhν)0.5
对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为
直接半导体禁带宽度值。α (Absorption Coefficient ) 即为紫外可见漫反射中的吸收系数。α与A成正比。
（1.先测样品的厚度d
2.根据公式α=2.303*Abs/d，计算就可以得到吸收系数α）
方法4：利用[F(R∞)hν]2 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用
[F(R∞)hν]0.5 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度
值，后者为直接半导体禁带宽度值。

(((1-col(B))^2/(2*col(B)))*6.626*10^-34*300000000/col(A))^1/2 （[F(R)hv]^1/2）纵坐标值
(6.626*10^(-34))*3*10^8/(col(A)*10^(-9)) (hv) 横坐标值
（[F(R)hv]^1/2）-(hv) 直接半导体禁带宽度

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2楼2013-06-26 19:58:33

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