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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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Nano-mse

金虫 (小有名气)

[求助] 如何通过UV吸收曲线计算direct bandgap和indirect-bandgap

急问!如果只有UV吸收曲线(横坐标为波长,纵坐标为吸收值),如何将其转化为那个可以得到直接带隙和间接带隙的图谱(横坐标为能量,纵坐标为吸收系数的2次方或者1/2次方)?非常感谢!!  

PS: 在论坛里找了几个,但是都没有给予清晰讲解的,很晕,希望可以得到解答,非常感谢您!
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ca0yan9

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小木虫幼儿园荣誉园长

我理解的是都可以用于固体粉末的测试,4中的F(R)=(1-R)^/(2R), R为反射率,即R=1-A,固体紫外测试得到的是反射率,液体紫外得到的是吸收度。
可能就是说用于固体紫外了吧
4楼2013-06-27 08:14:10
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ca0yan9

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小木虫幼儿园荣誉园长

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
Nano-mse: 金币+10, ★★★很有帮助, 非常感谢您,您的方法2-4就是我想问的。还有请问,如果是液相法测得的数据,该用哪个方法呢?方法2吗?方法4是不是对于各种测试方法都适用呢? 2013-06-26 20:44:19
方法1:利用紫外可见漫反射测量中的吸光度与波长数据作图,利用截线法做出吸收波长阈值λg(nm),
利用公式 Eg=1240/λg (eV) 计算禁带宽度。
方法2:利用(Ahν)2 对 hν 做图,利用直线部分外推至横坐标交点,即为禁带宽度值。也可利用(Ahν)0.5
对 hν 做图,利用直线部分外推至横坐标交点,即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值,后者为直
接半导体禁带宽度值。A (Absorbance) 即为紫外可见漫反射中的吸光度。
方法3:利用(αhν)2 对 hν 做图,利用直线部分外推至横坐标交点,即为禁带宽度值。也可利用(αhν)0.5
对 hν 做图,利用直线部分外推至横坐标交点,即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值,后者为
直接半导体禁带宽度值。α (Absorption Coefficient ) 即为紫外可见漫反射中的吸收系数。α与A成正比。
(1.先测样品的厚度d
  2.根据公式α=2.303*Abs/d,计算就可以得到吸收系数α)
方法4:利用[F(R∞)hν]2 对 hν 做图,利用直线部分外推至横坐标交点,即为禁带宽度值。也可利用
[F(R∞)hν]0.5 对 hν 做图,利用直线部分外推至横坐标交点,即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度
值,后者为直接半导体禁带宽度值。


(((1-col(B))^2/(2*col(B)))*6.626*10^-34*300000000/col(A))^1/2    ([F(R)hv]^1/2)纵坐标值
(6.626*10^(-34))*3*10^8/(col(A)*10^(-9))   (hv) 横坐标值
([F(R)hv]^1/2)-(hv)    直接半导体禁带宽度
2楼2013-06-26 19:58:33
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ca0yan9

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小木虫幼儿园荣誉园长

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
Nano-mse: 金币+5, ★★★很有帮助, 而方法3只对用积分球的漫反射,测粉末固体样品有用? 2013-06-26 20:45:48
([F(R)hv]^1/2)-(hv)    直接半导体禁带宽度
([F(R)hv]^2)-(hv)       间接半导体禁带宽度
3楼2013-06-26 19:59:56
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Nano-mse

金虫 (小有名气)

引用回帖:
4楼: Originally posted by ca0yan9 at 2013-06-27 08:14:10
我理解的是都可以用于固体粉末的测试,4中的F(R)=(1-R)^/(2R), R为反射率,即R=1-A,固体紫外测试得到的是反射率,液体紫外得到的是吸收度。
可能就是说用于固体紫外了吧

您好!请问哪个可以用于液相法呢?另外您的意思是反射率+吸收度=1吧?对于液相法得到的结果,先有吸收度算出反射率,然后再代到4中的公式吧。
5楼2013-06-28 10:03:10
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