| 查看: 1176 | 回复: 4 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
[交流]
有哪位大神解释下RRAM测试IV过程中的软击穿的问题 为什么要进行软击穿？ 已有4人参与
|
|||
| 有哪位大神解释下RRAM测试IV过程中的软击穿的问题 为什么要进行软击穿？ |
回复此楼» 猜你喜欢
288求调剂 一志愿哈工大 材料与化工
已经有16人回复
-
0805求调剂
已经有4人回复
-
求调剂，一志愿北林食品与营养095500，301分，已过六级，有科研经历
已经有3人回复
-
0856材料与化工调剂，339
已经有5人回复
-
311（085601）求调剂
已经有10人回复
-
080200专业277分，求带走！
已经有4人回复
-
359求调剂
已经有6人回复
-
342求调剂
已经有6人回复
-
070300化学279求调剂
已经有10人回复
-
086000生物与医药298调剂求助
已经有5人回复
5楼2017-02-06 16:52:11
wu1008
金虫 (著名写手)
- 应助: 243 (大学生)
- 金币: 1486.4
- 散金: 176
- 红花: 14
- 帖子: 1788
- 在线: 197.6小时
- 虫号: 1859230
- 注册: 2012-06-14
- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
2楼2013-06-21 00:49:21
3楼2013-06-21 22:56:20
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
|
这和RRAM高低阻态转变机制有关。 目前比较广泛接受的想法是conductive filament (CF) 导电通道。 对于TiN/Ti/HfO2/TiN结构： 首先，一个氧在电场作用下从阻变层（比如HfO2）中迁移到氧库（原文中用的是oxygen reservoir，因为看的文献都是英文的，所以我也不知道怎么翻译好，但是意思明白就好，暂且叫”氧库“）(比如Ti)，这样就在阻变层形成一个氧空位。空位积累后在上下电极间形成导电通道。形成导电通道就从HRS（高阻态）转到了LRS（低阻态），从这个就是您说的dielectric soft breakdown软击穿。 然后，加另一电压（方向看器件是Unipolar还是Bipolar），氧从氧库里迁移回去了，氧空位消失，导电通道切断，这样就从LRS转到HRS。 要想再转回HRS就要加偏压，促使氧迁移，形成空位，导电通道接通。 所以按照这个机制来说，dielectric soft breakdown正是阻态变化的过程。 有说错的地方请批评指正  P.s.:我也对RRAM很感兴趣，希望多交流 |
4楼2014-10-18 02:25:36
