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有哪位大神解释下RRAM测试IV过程中的软击穿的问题 为什么要进行软击穿？ 已有4人参与
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| 有哪位大神解释下RRAM测试IV过程中的软击穿的问题 为什么要进行软击穿？ |
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3楼2013-06-21 22:56:20
wu1008
金虫 (著名写手)
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2楼2013-06-21 00:49:21
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
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这和RRAM高低阻态转变机制有关。 目前比较广泛接受的想法是conductive filament (CF) 导电通道。 对于TiN/Ti/HfO2/TiN结构： 首先，一个氧在电场作用下从阻变层（比如HfO2）中迁移到氧库（原文中用的是oxygen reservoir，因为看的文献都是英文的，所以我也不知道怎么翻译好，但是意思明白就好，暂且叫”氧库“）(比如Ti)，这样就在阻变层形成一个氧空位。空位积累后在上下电极间形成导电通道。形成导电通道就从HRS（高阻态）转到了LRS（低阻态），从这个就是您说的dielectric soft breakdown软击穿。 然后，加另一电压（方向看器件是Unipolar还是Bipolar），氧从氧库里迁移回去了，氧空位消失，导电通道切断，这样就从LRS转到HRS。 要想再转回HRS就要加偏压，促使氧迁移，形成空位，导电通道接通。 所以按照这个机制来说，dielectric soft breakdown正是阻态变化的过程。 有说错的地方请批评指正  P.s.:我也对RRAM很感兴趣，希望多交流 |
4楼2014-10-18 02:25:36
5楼2017-02-06 16:52:11