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小新和小宝

兑换贵宾

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[交流] 有哪位大神解释下RRAM测试IV过程中的软击穿的问题 为什么要进行软击穿？ 已有4人参与

有哪位大神解释下RRAM测试IV过程中的软击穿的问题  为什么要进行软击穿？
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好好做人靠谱向上
1楼 2013-06-20 18:18:29
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BingnanShi

超级版主

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这和RRAM高低阻态转变机制有关。

目前比较广泛接受的想法是conductive filament (CF) 导电通道。

对于TiN/Ti/HfO2/TiN结构：
首先，一个氧在电场作用下从阻变层（比如HfO2）中迁移到氧库（原文中用的是oxygen reservoir，因为看的文献都是英文的，所以我也不知道怎么翻译好，但是意思明白就好，暂且叫”氧库“）(比如Ti)，这样就在阻变层形成一个氧空位。空位积累后在上下电极间形成导电通道。形成导电通道就从HRS（高阻态）转到了LRS（低阻态），从这个就是您说的dielectric soft breakdown软击穿。
然后，加另一电压（方向看器件是Unipolar还是Bipolar），氧从氧库里迁移回去了，氧空位消失，导电通道切断，这样就从LRS转到HRS。
要想再转回HRS就要加偏压，促使氧迁移，形成空位，导电通道接通。

所以按照这个机制来说，dielectric soft breakdown正是阻态变化的过程。

有说错的地方请批评指正

P.s.:我也对RRAM很感兴趣，希望多交流
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Happy LEAPing
4楼2014-10-18 02:25:36
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wu1008

管理员

优秀！！有木有！！！优秀！！有木有！！！优秀！！有木有！！！优秀！！有木有！！！
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这是某些器件实现RS的必要过程，另外的一些事不需要的，不是必要条件
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2楼2013-06-21 00:49:21
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我是一笼包子

超级版主

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所谓的软击穿就是电阻发生可逆转变，硬击穿是发生不可逆转变，也就是电流达到仪器的最大值 一般是100mA
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nofear
3楼2013-06-21 22:56:20
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bad忠

兑换贵宾

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引用回帖:
4楼: Originally posted by BingnanShi at 2014-10-18 02:25:36
这和RRAM高低阻态转变机制有关。

目前比较广泛接受的想法是conductive filament (CF) 导电通道。

对于TiN/Ti/HfO2/TiN结构：
首先，一个氧在电场作用下从阻变层（比如HfO2）中迁移到氧库（原文中用的是oxyge ...

有群可以加入吗？我也是研究RRAM的
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5楼2017-02-06 16:52:11
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