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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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小新和小宝

兑换贵宾

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[交流] 有哪位大神解释下RRAM测试IV过程中的软击穿的问题 为什么要进行软击穿? 已有4人参与

有哪位大神解释下RRAM测试IV过程中的软击穿的问题  为什么要进行软击穿?
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好好做人靠谱向上
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BingnanShi

超级版主

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这和RRAM高低阻态转变机制有关。

目前比较广泛接受的想法是conductive filament (CF) 导电通道。

对于TiN/Ti/HfO2/TiN结构:
首先,一个氧在电场作用下从阻变层(比如HfO2)中迁移到氧库(原文中用的是oxygen reservoir,因为看的文献都是英文的,所以我也不知道怎么翻译好,但是意思明白就好,暂且叫”氧库“)(比如Ti),这样就在阻变层形成一个氧空位。空位积累后在上下电极间形成导电通道。形成导电通道就从HRS(高阻态)转到了LRS(低阻态),从这个就是您说的dielectric soft breakdown软击穿。
然后,加另一电压(方向看器件是Unipolar还是Bipolar),氧从氧库里迁移回去了,氧空位消失,导电通道切断,这样就从LRS转到HRS。
要想再转回HRS就要加偏压,促使氧迁移,形成空位,导电通道接通。

所以按照这个机制来说,dielectric soft breakdown正是阻态变化的过程。

有说错的地方请批评指正

P.s.:我也对RRAM很感兴趣,希望多交流
Happy LEAPing
4楼2014-10-18 02:25:36
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wu1008

管理员

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这是某些器件实现RS的必要过程,另外的一些事不需要的,不是必要条件
2楼2013-06-21 00:49:21
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我是一笼包子

超级版主

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所谓的软击穿就是电阻发生可逆转变,硬击穿是发生不可逆转变,也就是电流达到仪器的最大值 一般是100mA
nofear
3楼2013-06-21 22:56:20
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bad忠

兑换贵宾

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引用回帖:
4楼: Originally posted by BingnanShi at 2014-10-18 02:25:36
这和RRAM高低阻态转变机制有关。

目前比较广泛接受的想法是conductive filament (CF) 导电通道。

对于TiN/Ti/HfO2/TiN结构:
首先,一个氧在电场作用下从阻变层(比如HfO2)中迁移到氧库(原文中用的是oxyge ...

有群可以加入吗?我也是研究RRAM的
5楼2017-02-06 16:52:11
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