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匿名

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1楼2013-06-19 23:45:40
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匿名

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2楼2013-06-20 11:42:54
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chm_zhangwm

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
King_Of_WS: 金币+10, ★★★很有帮助 2013-06-21 02:01:26
（1）对间接半导体，利用(Ahν)^2 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。对直接半导体，可利用(Ahν)^0.5对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。A (Absorbance) 即为紫外可见漫反射中的吸光度。
（2）也可利用[F(R)hν]^2 或[F(R)hν]^0.5 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。
F(R) 为Kubelka-Munk函数， F(R ) = (1- R )^2 / 2R
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3楼2013-06-20 14:05:59
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lqingh506

铁杆木虫 (知名作家)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
King_Of_WS: 金币+10, ★★★很有帮助 2013-06-21 02:01:33
引用回帖:
2楼: Originally posted by King_Of_WS at 2013-06-20 11:42:54
顶起 等大牛来解答

见附件，祝好！
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  • 附件 1 : 光催化剂禁带宽度值Eg计算方法.pdf
    • 2013-06-20 14:49:36, 37.9 K
4楼2013-06-20 14:49:39
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匿名

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5楼2013-06-20 23:18:48
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