| 查看: 818 | 回复: 1 | |||
[求助]
湿法刻蚀硅纳米线SiNWs怎样的配方和时间能使硅线分散，间距增加？
|
|
Method 1: 3:1 (v/v) H2SO4/H2O2 at 90℃ for 15 min 4.4 M HF and 0.02 M AgNO3 at 50 °C for 30 min immersed in concentrated HNO3 for 15 min Method 2: 8 M HF and 0.04 M AgNO3 at 50 °C for 30 min 1:2 (v/v) HNO3/H2O for 30 min 5~10% HF for 10~15min 诸位前辈怎样得到不那么致密的硅纳米线阵列的呢，急求，呜呜~~~ |
回复此楼» 猜你喜欢
体制内长辈说体制内绝大部分一辈子在底层，如同你们一样大部分普通教师忙且收入低
已经有5人回复
-
今年春晚有几个节目很不错，点赞！
已经有9人回复
-
情人节自我反思：在爱情中有过遗憾吗？
已经有10人回复
-
基金正文30页指的是报告正文还是整个申请书
已经有5人回复
-
过年走亲戚时感受到了所开私家车的鄙视链
已经有5人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 硅片湿法刻蚀 怎么刻蚀不上啊？求救
已经有11人回复
- 【讨论】做硅纳米管和硅纳米线潜力如何？
已经有25人回复
2楼2013-07-23 09:09:22