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湿法刻蚀硅纳米线SiNWs怎样的配方和时间能使硅线分散，间距增加？
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Method 1: 3:1 (v/v) H2SO4/H2O2 at 90℃ for 15 min 4.4 M HF and 0.02 M AgNO3 at 50 °C for 30 min immersed in concentrated HNO3 for 15 min Method 2: 8 M HF and 0.04 M AgNO3 at 50 °C for 30 min 1:2 (v/v) HNO3/H2O for 30 min 5~10% HF for 10~15min 诸位前辈怎样得到不那么致密的硅纳米线阵列的呢，急求，呜呜~~~ |
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