| 查看: 809 | 回复: 1 | ||
[求助]
湿法刻蚀硅纳米线SiNWs怎样的配方和时间能使硅线分散，间距增加？
|
|
Method 1: 3:1 (v/v) H2SO4/H2O2 at 90℃ for 15 min 4.4 M HF and 0.02 M AgNO3 at 50 °C for 30 min immersed in concentrated HNO3 for 15 min Method 2: 8 M HF and 0.04 M AgNO3 at 50 °C for 30 min 1:2 (v/v) HNO3/H2O for 30 min 5~10% HF for 10~15min 诸位前辈怎样得到不那么致密的硅纳米线阵列的呢，急求，呜呜~~~ |
回复此楼» 猜你喜欢
要不要辞职读博？
已经有3人回复
-
论文终于录用啦！满足毕业条件了
已经有26人回复
-
2026年机械制造与材料应用国际会议 （ICMMMA 2026）
已经有4人回复
-
磺酰氟产物，毕不了业了！
已经有6人回复
-
求助:我三月中下旬出站，青基依托单位怎么办？
已经有9人回复
-
Cas 72-43-5需要30g，定制合成，能接单的留言
已经有8人回复
-
北京211副教授，35岁，想重新出发，去国外做博后，怎么样？
已经有8人回复
-
自荐读博
已经有3人回复
-
不自信的我
已经有5人回复
-
投稿Elsevier的杂志（返修），总是在选择OA和subscription界面被踢皮球
已经有8人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 硅片湿法刻蚀 怎么刻蚀不上啊？求救
已经有11人回复
- 【讨论】做硅纳米管和硅纳米线潜力如何？
已经有25人回复
2楼2013-07-23 09:09:22