| 查看: 936 | 回复: 1 | ||
[求助]
湿法刻蚀硅纳米线SiNWs怎样的配方和时间能使硅线分散，间距增加？
|
|
Method 1: 3:1 (v/v) H2SO4/H2O2 at 90℃ for 15 min 4.4 M HF and 0.02 M AgNO3 at 50 °C for 30 min immersed in concentrated HNO3 for 15 min Method 2: 8 M HF and 0.04 M AgNO3 at 50 °C for 30 min 1:2 (v/v) HNO3/H2O for 30 min 5~10% HF for 10~15min 诸位前辈怎样得到不那么致密的硅纳米线阵列的呢，急求，呜呜~~~ |
回复此楼» 猜你喜欢
申博发邮件
已经有8人回复
-
各位大神，目前国内有哪些比较好用的逆合成软件？
已经有9人回复
-
国社科系统bug了，是不是要放榜了？
已经有7人回复
-
上海工程技术大学激光智能制造课题组｜2027级博士研究生招生公告
已经有8人回复
-
上海工程技术大学激光智能制造课题组招收博士研究生
已经有8人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 硅片湿法刻蚀 怎么刻蚀不上啊？求救
已经有11人回复
- 【讨论】做硅纳米管和硅纳米线潜力如何？
已经有25人回复
2楼2013-07-23 09:09:22