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luckone2013

银虫 (小有名气)

[交流] 用高斯计算垂直电离能和电子亲和能的方法

具体的基组格式哦！
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1楼2013-05-31 00:51:13
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kris4691

银虫 (小有名气)
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luckone2013: 金币+1 2013-06-02 23:14:38
引用回帖:
9楼: Originally posted by luckone2013 at 2013-06-01 17:27:49
是不是在优化好的构型里，在选用的基组后面加上nosymm，然后将电荷和多重度改掉就可以啦？...

是的，注意自旋多重度千万别弄错了。
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10楼2013-06-02 15:28:26
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gzl9901

铁杆木虫 (文坛精英)
祝福，努力发论文！
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2楼2013-05-31 01:19:13
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beefly

专家顾问 (职业作家)
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luckone2013: 金币+2 2013-05-31 12:17:31
gmy1990: 金币+3 2013-06-02 22:07:39
第一种方法：通过给分子加、减电荷做多个独立的计算。
第二种方法：SAC-CI。不过，虽然SAC-CI是一种加上近似的EOM-CCSD方法，但是计算效率太低了。不知道是Gaussian的原因还是SAC-CI的原因。建议改用其它程序比如Q-Chem、CFour，GAMESS做EOM-IP-CCSD或EOM-EA-CCSD。
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3楼2013-05-31 04:27:27
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kris4691

银虫 (小有名气)
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gmy1990: 金币+2 2013-06-02 22:08:01
所谓垂直就是不考虑结构变形。
1垂直电离能计算：优化分子构型，（同时也就得到分子能量了）使用这个构型减少电子计算离子的能量，离子减分子能量就是电离能了。
2垂直电子亲和能：和电离相反的过程，先优化离子的构型，再以此构型直接计算分子的能量，再求能量差。

我没做过，但是听老师讲过，可能有不正确的地方，楼主可以再查一下。
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5楼2013-05-31 16:35:47
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