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luckone2013

银虫 (小有名气)


[交流] 用高斯计算垂直电离能和电子亲和能的方法

具体的基组格式哦!
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luckone2013

银虫 (小有名气)


内容已删除
4楼2013-05-31 12:07:37
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luckone2013

银虫 (小有名气)


引用回帖:
5楼: Originally posted by kris4691 at 2013-05-31 16:35:47
所谓垂直就是不考虑结构变形。
1垂直电离能计算:优化分子构型,(同时也就得到分子能量了)使用这个构型减少电子计算离子的能量,离子减分子能量就是电离能了。
2垂直电子亲和能:和电离相反的过程,先优化离子的 ...

那意思就是垂直的要保持构型不变,求分子和离子的能量差值吧?
还有最关键的是优化好构型,减少电子计算离子的能量时,怎么让分子的构型保持不变?

[ Last edited by luckone2013 on 2013-5-31 at 16:49 ]
6楼2013-05-31 16:44:13
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luckone2013

银虫 (小有名气)


引用回帖:
7楼: Originally posted by kris4691 at 2013-05-31 18:07:37
区别在于,电离能是用分子的构型计算能力差;亲和能是用离子构型。
我很久没用高斯了,大概讲一下,可能有错,你最好去看看高斯手册。
把优化结构的构型取出来,就是用gaussview打开优化的log文件再另存为gjf,在 ...

是不是在优化好的构型里,在选用的基组后面加上nosymm,然后将电荷和多重度改掉就可以啦?
9楼2013-06-01 17:27:49
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luckone2013

银虫 (小有名气)


引用回帖:
10楼: Originally posted by kris4691 at 2013-06-02 15:28:26
是的,注意自旋多重度千万别弄错了。...

但是,命令行加了nosymm后构型还是从阴离子型变成了中性分子的构型。感觉nosymm不能保持分子的构型,而只是和分子的对称性有关的项。是不是应该把命令行的 opt 删掉?
11楼2013-06-02 23:26:53
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