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用高斯计算垂直电离能和电子亲和能的方法
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luckone2013
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用高斯计算垂直电离能和电子亲和能的方法
具体的基组格式哦!
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1楼
2013-05-31 00:51:13
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luckone2013
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7楼
:
Originally posted by
kris4691
at 2013-05-31 18:07:37
区别在于,电离能是用分子的构型计算能力差;亲和能是用离子构型。
我很久没用高斯了,大概讲一下,可能有错,你最好去看看高斯手册。
把优化结构的构型取出来,就是用gaussview打开优化的log文件再另存为gjf,在 ...
是不是在优化好的构型里,在选用的基组后面加上nosymm,然后将电荷和多重度改掉就可以啦?
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9楼
2013-06-01 17:27:49
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祝福,努力发论文!
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2013-05-31 01:19:13
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2013-05-31 12:17:31
gmy1990: 金币+3
2013-06-02 22:07:39
第一种方法:通过给分子加、减电荷做多个独立的计算。
第二种方法:SAC-CI。不过,虽然SAC-CI是一种加上近似的EOM-CCSD方法,但是计算效率太低了。不知道是Gaussian的原因还是SAC-CI的原因。建议改用其它程序比如Q-Chem、CFour,GAMESS做EOM-IP-CCSD或EOM-EA-CCSD。
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2013-05-31 04:27:27
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kris4691
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gmy1990: 金币+2
2013-06-02 22:08:01
所谓垂直就是不考虑结构变形。
1垂直电离能计算:优化分子构型,(同时也就得到分子能量了)使用这个构型减少电子计算离子的能量,离子减分子能量就是电离能了。
2垂直电子亲和能:和电离相反的过程,先优化离子的构型,再以此构型直接计算分子的能量,再求能量差。
我没做过,但是听老师讲过,可能有不正确的地方,楼主可以再查一下。
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5楼
2013-05-31 16:35:47
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