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为什么ZrB2-SiC陶瓷反应烧结后SiC消失？
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LZ做ZrB2-SiC陶瓷的反应烧结。使用沉淀法制备“ZrB2前躯体”，也就是含水ZrO2和硼粉、碳粉的混合物，之后再与直接购买的SiC粉体混合，进行反应热压烧结，烧结环境为真空，不通气体。本来设计体积比为ZrB2:SiC=80:20，但是烧结过后，SiC完全消失！XRD检测不到！文章审稿意见揪住这个问题不放~~~~求助各位大神！ |
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wangkj: 感谢交流 2013-05-14 00:09:35
wangkj: 感谢交流 2013-05-14 00:09:35
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第一，你在烧结之前测量单独组分的XRD，混合组分的XRD和烧结之后的做比较 第二你的烧结温度是多少，如果是碳化硅的话在2000摄氏度以下很难烧结，ZrB2这个东西还没接触过，查看一下这个东西的烧结一般是在什么温度， 还有救是二者的热胀系数是不是合得来，烧结是否有相变，是不是你初始放进去的相，反正碳化硅好像是在这个温度附近有相变，而且碳化硅有3个相，立方相六方相 第三据我所知增强相通常不会超过10%，至于你做的什么完全不了解，只是给出个人认为有用的信息 |
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3楼2013-05-13 23:32:44
6楼2013-05-14 14:08:19
