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请问EBSD 取向差集中在小角度区域 能不能说晶界滑移比较多呢？
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| 请问EBSD 取向差集中在小角度区域 也就是小角度晶界比例比较大的情况下 能不能说晶界滑移也比较多呢？ 晶界滑移多了 位错密度也就低了 |
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 EBSD电子背散射衍射分析 |
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zhangliang8
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【答案】应助回帖
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xx80658: 金币+5, ★★★★★最佳答案, 解释的非常清楚 爱你哦 2013-05-02 14:07:10
xx80658: 金币+5, ★★★★★最佳答案, 解释的非常清楚 爱你哦 2013-05-02 14:07:10
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这主要是在不同的晶粒尺度下变形协调机制的不同。我们知道传统的塑形变形主要通过位错在晶粒内的滑移来实现，可以认为大尺寸的晶粒给这种滑移提供了较广阔的空间使位错运动容易实现，成为首要的变形机制。而随着晶粒尺寸的下降到fine 或者ultrafine尺寸时，晶界在整个晶粒中的密度不断升高，由于晶界主要性质表现为对位错滑移的阻碍作用， 从而使得晶粒中位错滑移变得越来越困难，位错密度不断降低，宏观上变现为材料的强度增大，即Hall-Patch效应，也是细晶强化的微观机理。一种变形机制变得困难，那么相应的另一种变形机制将被触发，即基于晶界自身的运动（包括晶界滑移，晶粒旋转，扩散蠕变，晶界位错等等）， 也就是说此时由位错运动和晶界运动共同来协调变形。这样你应该能明白你所提到的“晶界滑移能减少位错”“晶界滑移是细晶粒位错密度较低的原因”的说法... |
6楼2013-05-02 10:26:43
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10楼2013-05-02 16:52:37
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