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1970-01-01 08:00:00
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【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
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qflxl: 金币+5, ★★★很有帮助 2013-04-25 09:21:41
有几个原因吧。1 ge的能带比si小,所以栅极的漏电会比si大,所以从功耗和性能来说没有si好。2 栅介质问题。si有天然的栅介质sio2,形成简单,且质量很好,ge的氧化物很不稳定,一般不能作为栅介质,且用其他介电材料会引入很多的界面态,影响阈值电压等。还有就是ge材料本身很脆,且不能像si那样做到12英寸那么大,现在好像最大就4英寸吧,而且很贵。
不过现在由于微电子进去纳米节点后,由于si的空穴迁移率小,对ge和gesi合金的研究有大幅增加。楼主可以去查查文献便知哈

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
奋斗。。。
3楼2013-04-19 09:40:55
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348847119

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
因为ge没有丰富的氧化物只有在600度以上才逐渐氧化,而硅则有大量的二氧化硅。
2楼2013-04-16 23:11:55
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