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MOSFET为什么用si不用ge
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| 说出原因对比。 |
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新虫 (初入文坛)
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2楼2013-04-16 23:11:55
月下冰魂
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【答案】应助回帖
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感谢参与，应助指数 +1
qflxl: 金币+5, ★★★很有帮助 2013-04-25 09:21:41
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qflxl: 金币+5, ★★★很有帮助 2013-04-25 09:21:41
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有几个原因吧。1 ge的能带比si小，所以栅极的漏电会比si大，所以从功耗和性能来说没有si好。2 栅介质问题。si有天然的栅介质sio2，形成简单，且质量很好，ge的氧化物很不稳定，一般不能作为栅介质，且用其他介电材料会引入很多的界面态，影响阈值电压等。还有就是ge材料本身很脆，且不能像si那样做到12英寸那么大，现在好像最大就4英寸吧，而且很贵。 不过现在由于微电子进去纳米节点后，由于si的空穴迁移率小，对ge和gesi合金的研究有大幅增加。楼主可以去查查文献便知哈 [ 发自手机版 http://muchong.com/3g ] |
3楼2013-04-19 09:40:55