| 查看: 1818 | 回复: 7 | ||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | ||
snowsg金虫 (小有名气)
|
[求助]
LED 为什么用InGaN/GaN 量子阱？
|
|
| 好像大多数LED的有源层都是InGaN/GaN，从紫外到红外，大家知道为什么喜欢用InGaN/GaN，而不是AlGaN/GaN么？InGaN/GaN有什么优点呢？ |
回复此楼» 猜你喜欢
南京林业大学国家工程中心李海涛教授课题组招收研究生
已经有11人回复
-
拟解决的关键科学问题还要不要写
已经有21人回复
-
建筑环境与结构工程论文润色/翻译怎么收费?
已经有132人回复
-
[导师招生]全奖博士生招生—香港都会大学
已经有0人回复
-
一志愿中石油（华东），0854电子信息专硕392分，求调剂
已经有0人回复
-
西京学院-土木水利2026研究生-结构抗震与智能检测
已经有0人回复
-
西京学院-土木水利2026研究生-高性能结构与智能材料
已经有0人回复
-
【调剂申请】土木水利（总分314，一志愿哈工大）
已经有2人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- LED 结构生长中，什么是预阱，为什么选择预阱？
已经有4人回复
- 表面等离激元和量子阱耦合，如何影响发光峰位？
已经有3人回复
snowsg
金虫 (小有名气)
- 应助: 2 (幼儿园)
- 金币: 770.7
- 帖子: 277
- 在线: 108.8小时
- 虫号: 1005010
- 注册: 2010-04-24
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
4楼2013-04-17 08:46:56
snowsg
金虫 (小有名气)
- 应助: 2 (幼儿园)
- 金币: 770.7
- 帖子: 277
- 在线: 108.8小时
- 虫号: 1005010
- 注册: 2010-04-24
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
2楼2013-04-16 11:41:07
gdfollow
至尊木虫 (著名写手)
东方洛克博
- 应助: 26 (小学生)
- 金币: 21184.6
- 散金: 134
- 红花: 8
- 帖子: 2086
- 在线: 342.1小时
- 虫号: 630837
- 注册: 2008-10-19
- 性别: GG
- 专业: 光子与光电子器件
3楼2013-04-16 19:04:37
gdfollow
至尊木虫 (著名写手)
东方洛克博
- 应助: 26 (小学生)
- 金币: 21184.6
- 散金: 134
- 红花: 8
- 帖子: 2086
- 在线: 342.1小时
- 虫号: 630837
- 注册: 2008-10-19
- 性别: GG
- 专业: 光子与光电子器件
【答案】应助回帖
★ ★ ★ ★ ★
snowsg(ant_512代发): 金币+5, 奖励！ 2013-04-17 15:09:07
snowsg(ant_512代发): 金币+5, 奖励！ 2013-04-17 15:09:07
|
InGaN作为阱层是不是可以增加电子空穴对的复合？AlGaN 作为阱层的LED的波长为多少？是不是AlGaN作为阱层的内量子效率不如InGaN的高？AlGaN作为阱层的LED哪里有卖的？ 你在多看看文献吧 InGaN是目前最主要的阱层材料, 增加辐射复合的方法有很多种,跟结构设计有关,而InGaN作为III-N氮化物材料本身而言确实有很高的辐射复合几率.AlGaN材料的禁带宽度是可调节的,它作为阱层的波长要看你想要的波长然后根据软件设计,MOCVD生长时候调节.一般AlGaN由于缺陷密度大非辐射复合中心多所以内量子效率比较低.但是要跟InGaN比较的话还要看具体生长条件. AlGaNLED卖的地方不多因为一般的MOCVD都是长InGaN,长Al的话容易裂。 你最好多看看书 |
5楼2013-04-17 14:04:09
6