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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 复合材料 » 交流互助 » LED 为什么用InGaN/GaN 量子阱？
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snowsg

金虫 (小有名气)

[求助] LED 为什么用InGaN/GaN 量子阱？

好像大多数LED的有源层都是InGaN/GaN，从紫外到红外，大家知道为什么喜欢用InGaN/GaN，而不是AlGaN/GaN么？InGaN/GaN有什么优点呢？
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1楼 2013-04-15 09:19:31
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snowsg

金虫 (小有名气)
顶一下，希望有人来解答
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2楼2013-04-16 11:41:07
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gdfollow

至尊木虫 (著名写手)

东方洛克博

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
LED材料一般用InGaN作为阱层 GaN作为垒层。具体的发光波长InGaN作为阱层的话是在蓝绿光。
而用AlGaN的话一般是为紫外LED AlGaN 做为阱层 垒层的宽度就要大于阱层。所以是AlGaN/AlGaN。
你在多看看文献吧
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破马长枪立乾坤
3楼2013-04-16 19:04:37
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snowsg

金虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by gdfollow at 2013-04-16 19:04:37
LED材料一般用InGaN作为阱层 GaN作为垒层。具体的发光波长InGaN作为阱层的话是在蓝绿光。
而用AlGaN的话一般是为紫外LED AlGaN 做为阱层 垒层的宽度就要大于阱层。所以是AlGaN/AlGaN。
你在多看看文献吧

InGaN作为阱层是不是可以增加电子空穴对的复合？AlGaN 作为阱层的LED的波长为多少？是不是AlGaN作为阱层的内量子效率不如InGaN的高？AlGaN作为阱层的LED哪里有卖的？
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4楼2013-04-17 08:46:56
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gdfollow

至尊木虫 (著名写手)

东方洛克博

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
snowsg(ant_512代发): 金币+5, 奖励！ 2013-04-17 15:09:07
InGaN作为阱层是不是可以增加电子空穴对的复合？AlGaN 作为阱层的LED的波长为多少？是不是AlGaN作为阱层的内量子效率不如InGaN的高？AlGaN作为阱层的LED哪里有卖的？
你在多看看文献吧
InGaN是目前最主要的阱层材料,
增加辐射复合的方法有很多种,跟结构设计有关,而InGaN作为III-N氮化物材料本身而言确实有很高的辐射复合几率.AlGaN材料的禁带宽度是可调节的,它作为阱层的波长要看你想要的波长然后根据软件设计,MOCVD生长时候调节.一般AlGaN由于缺陷密度大非辐射复合中心多所以内量子效率比较低.但是要跟InGaN比较的话还要看具体生长条件.
AlGaNLED卖的地方不多因为一般的MOCVD都是长InGaN,长Al的话容易裂。
你最好多看看书
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破马长枪立乾坤
5楼2013-04-17 14:04:09
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snowsg

金虫 (小有名气)
引用回帖:
5楼: Originally posted by gdfollow at 2013-04-17 14:04:09
InGaN作为阱层是不是可以增加电子空穴对的复合？AlGaN 作为阱层的LED的波长为多少？是不是AlGaN作为阱层的内量子效率不如InGaN的高？AlGaN作为阱层的LED哪里有卖的？
你在多看看文献吧
InGaN是目前最主要的阱层材 ...

能不能告诉我哪里有卖AlGaNLED的？谢谢！
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6楼2013-04-17 16:05:28
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gdfollow

至尊木虫 (著名写手)

东方洛克博

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
snowsg: 金币+15 2013-04-18 08:37:28
一般企业外延的话只有蓝绿和红光两个事业部，很少有专门紫外AlGaN LED的。铝的话存在裂的问题
最好是找专门搞这个的学校或者研究所，半导体所，物理所，北大，中山大学都有做AlGaN 的组
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破马长枪立乾坤
7楼2013-04-17 16:59:27
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逍遥王爷

新虫 (初入文坛)
我觉得主要是AlN的基板不好找，而InN的基板现在比较成熟，而且InN和GaN的晶格常数的可调范围比较大使得InGaN的禁带宽度范围大，输出的光谱范围就比较大，所以现在主要用的是InGaN的量子阱，还有一个原因我个人觉得AlGaN和GaN的晶格失配还是比较大的，等到找到好的材料来做为InN的基板的话，后者还是很有潜力的，做UV光源最合适不过了 你可以看一下半导体光学里边有个各种材料的晶格常数和禁带宽度的图，哪个很不错的
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8楼2014-03-27 16:29:30
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