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snowsg金虫 (小有名气)
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LED 为什么用InGaN/GaN 量子阱？
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| 好像大多数LED的有源层都是InGaN/GaN，从紫外到红外，大家知道为什么喜欢用InGaN/GaN，而不是AlGaN/GaN么？InGaN/GaN有什么优点呢？ |
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【答案】应助回帖
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snowsg(ant_512代发): 金币+5, 奖励！ 2013-04-17 15:09:07
snowsg(ant_512代发): 金币+5, 奖励！ 2013-04-17 15:09:07
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InGaN作为阱层是不是可以增加电子空穴对的复合？AlGaN 作为阱层的LED的波长为多少？是不是AlGaN作为阱层的内量子效率不如InGaN的高？AlGaN作为阱层的LED哪里有卖的？ 你在多看看文献吧 InGaN是目前最主要的阱层材料, 增加辐射复合的方法有很多种,跟结构设计有关,而InGaN作为III-N氮化物材料本身而言确实有很高的辐射复合几率.AlGaN材料的禁带宽度是可调节的,它作为阱层的波长要看你想要的波长然后根据软件设计,MOCVD生长时候调节.一般AlGaN由于缺陷密度大非辐射复合中心多所以内量子效率比较低.但是要跟InGaN比较的话还要看具体生长条件. AlGaNLED卖的地方不多因为一般的MOCVD都是长InGaN,长Al的话容易裂。 你最好多看看书 |
5楼2013-04-17 14:04:09
