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newrole

银虫 (小有名气)


[交流] 在材料表面修饰上APTES后,如何进一步生长SiO2?

如题,期望在一种材料上预先引入APTES硅源,然后进一步用类似Stober的方法生长SiO2,请教如何生长?

有无相关参考文献。

谢谢讨论。
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newrole

银虫 (小有名气)


引用回帖:
3楼: Originally posted by refnew at 2013-04-10 19:54:47
直接长就行了,何必这么复杂呢

直接长的话没有SiO2和载体材料之间的connection,为什么SiO2一定要依附于前面的载体材料生长,而不是单独成核呢?
4楼2013-04-11 08:27:08
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虫虫0702

银虫 (小有名气)


不是太清楚
2楼2013-04-10 17:03:03
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
直接长就行了,何必这么复杂呢
3楼2013-04-10 19:54:47
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
4楼: Originally posted by newrole at 2013-04-11 08:27:08
直接长的话没有SiO2和载体材料之间的connection,为什么SiO2一定要依附于前面的载体材料生长,而不是单独成核呢?...

单独成核所需能量多大啊
5楼2013-04-11 10:13:14
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简单回复
2013-04-11 10:39   回复  
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