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在材料表面修饰上APTES后,如何进一步生长SiO2?
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newrole
银虫
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[交流]
在材料表面修饰上APTES后,如何进一步生长SiO2?
如题,期望在一种材料上预先引入APTES硅源,然后进一步用类似Stober的方法生长SiO2,请教如何生长?
有无相关参考文献。
谢谢讨论。
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2013-04-10 16:52:20
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直接长就行了,何必这么复杂呢
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3楼
2013-04-10 19:54:47
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虫虫0702
银虫
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不是太清楚
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2楼
2013-04-10 17:03:03
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newrole
银虫
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3楼
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at 2013-04-10 19:54:47
直接长就行了,何必这么复杂呢
直接长的话没有SiO2和载体材料之间的connection,为什么SiO2一定要依附于前面的载体材料生长,而不是单独成核呢?
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4楼
2013-04-11 08:27:08
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4楼
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newrole
at 2013-04-11 08:27:08
直接长的话没有SiO2和载体材料之间的connection,为什么SiO2一定要依附于前面的载体材料生长,而不是单独成核呢?...
单独成核所需能量多大啊
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5楼
2013-04-11 10:13:14
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血色狼漫
6楼
2013-04-11 10:39
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