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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 在材料表面修饰上APTES后，如何进一步生长SiO2？
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newrole

银虫 (小有名气)

[交流] 在材料表面修饰上APTES后，如何进一步生长SiO2？

如题，期望在一种材料上预先引入APTES硅源，然后进一步用类似Stober的方法生长SiO2，请教如何生长？

有无相关参考文献。

谢谢讨论。
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1楼 2013-04-10 16:52:20
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虫虫0702

银虫 (小有名气)
不是太清楚
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2楼2013-04-10 17:03:03
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refnew

专家顾问 (知名作家)
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直接长就行了，何必这么复杂呢
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3楼2013-04-10 19:54:47
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newrole

银虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by refnew at 2013-04-10 19:54:47
直接长就行了，何必这么复杂呢

直接长的话没有SiO2和载体材料之间的connection，为什么SiO2一定要依附于前面的载体材料生长，而不是单独成核呢？
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4楼2013-04-11 08:27:08
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refnew

专家顾问 (知名作家)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
4楼: Originally posted by newrole at 2013-04-11 08:27:08
直接长的话没有SiO2和载体材料之间的connection，为什么SiO2一定要依附于前面的载体材料生长，而不是单独成核呢？...

单独成核所需能量多大啊
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5楼2013-04-11 10:13:14
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血色狼漫6楼
2013-04-11 10:39   回复  
祝福 [ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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