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yhp74

铁杆木虫 (正式写手)

[求助] 循环伏安峰电流与扫描速度的3/4次方成正比,怎么理解啊? 已有1人参与

循环伏安峰电流与扫描速度的3/4次方成正比,如图。用的是聚合物-碳管-纳米颗粒复合膜修饰玻碳电极。纳米颗粒在0.5v左右有氧化峰。怎么理解啊?谢谢!
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  • 2013-04-10 13:24:23, 216.63 K

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yhp74

铁杆木虫 (正式写手)

上面的图是0.4V左右有峰。
2楼2013-04-10 13:29:22
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zlongz123

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
yhp74: 金币+2, 有帮助, 可逆与否与峰电流和扫速关系曲线 应该没有什么关系吧,谢谢参与 2013-04-10 21:19:40
那就是不完全可逆,准可逆体系~~~
3楼2013-04-10 14:26:48
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yhp74

铁杆木虫 (正式写手)

又看了一下公式,确实和电极可逆与否无关,只和扩散还是表面反应是控速步骤有关,如果没有控速步骤,会怎么样?
4楼2013-04-11 18:31:18
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shijunhenu

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
yhp74: 金币+15, ★★★★★最佳答案 2014-02-13 22:48:45
峰电流与扫数的3/4次方成正比,可以说明应该同时存在有吸附和法拉第反应。是由于修饰膜太厚的缘故,导致扩散吸附等成为了速控步。这是修饰电极中经常遇到的问题,解决的办法是降低修饰涂层厚度,改善氧气在其中的扩散性能,降低吸附。
5楼2014-02-12 21:50:00
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wh020

金虫 (小有名气)

引用回帖:
5楼: Originally posted by shijunhenu at 2014-02-12 21:50:00
峰电流与扫数的3/4次方成正比,可以说明应该同时存在有吸附和法拉第反应。是由于修饰膜太厚的缘故,导致扩散吸附等成为了速控步。这是修饰电极中经常遇到的问题,解决的办法是降低修饰涂层厚度,改善氧气在其中的扩 ...

请问你这种说法有依据么?能分享下文献资料么?谢谢!
6楼2014-12-15 16:14:35
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