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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 晶体 » 测试表征 » 求助，硅粉经氧化后XRD特征峰都小角度偏移？
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ideal2007

银虫 (正式写手)

[求助] 求助，硅粉经氧化后XRD特征峰都小角度偏移？

求助大家
我姜硅粉氧化处理后，变成Si-SiO2
测试XRD后 特征峰都整体左移。并且随着处理温度的升高，越偏左。
如图？
角度变小, d变大，是氧引起的吗“？但是硅中氧原子加入，由于氧的半径小于硅 应该是使d变小呀？
这个究竟什么原因呢。
请大家赐教。

硅粉.jpg
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1楼2013-04-08 19:29:32
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ideal2007

银虫 (正式写手)
送红花一朵
引用回帖:
2楼: Originally posted by gyliu at 2013-04-09 09:15:36
你这个峰是Si的第一个峰吧。向左移动就对了，这是热膨胀引起的，温度高，晶胞就大，所以，高温的向左移。这和氧没关系，因为氧不是进入了Si的晶格，而是和Si反应形成了SiO2，相应地会有SiO2的衍射峰出现，但不是在这 ...

十分感谢回复呀。
不过还有些不明白的问题就是：上图显示的是硅的第一个主峰，是左偏的，其他峰也都是同样的规律。这样硅峰整体左偏正常吗？或是应该只有第一个峰左偏？其他不偏移？各个峰左偏的程度不一样？

温度不是很高，也就室温-120度  这样的温度也会对硅粉影响这么大吗？
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3楼2013-04-09 10:54:14
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gyliu

铁杆木虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
ideal2007: 金币+20, ★★★★★最佳答案, 很感谢啊 2013-04-09 15:08:18
你这个峰是Si的第一个峰吧。向左移动就对了，这是热膨胀引起的，温度高，晶胞就大，所以，高温的向左移。这和氧没关系，因为氧不是进入了Si的晶格，而是和Si反应形成了SiO2，相应地会有SiO2的衍射峰出现，但不是在这个位置。
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ideal2007
2楼2013-04-09 09:15:36
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gyliu

铁杆木虫 (职业作家)
引用回帖:
3楼: Originally posted by ideal2007 at 2013-04-09 10:54:14
十分感谢回复呀。
不过还有些不明白的问题就是：上图显示的是硅的第一个主峰，是左偏的，其他峰也都是同样的规律。这样硅峰整体左偏正常吗？或是应该只有第一个峰左偏？其他不偏移？各个峰左偏的程度不一样？

...

肯定会整体偏移的，只是高角度的偏移量大一些。你最好再做一下晶胞参数精化。
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4楼2013-04-09 11:19:40
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师林涛77

新虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by ideal2007 at 2013-04-09 10:54:14
十分感谢回复呀。
不过还有些不明白的问题就是：上图显示的是硅的第一个主峰，是左偏的，其他峰也都是同样的规律。这样硅峰整体左偏正常吗？或是应该只有第一个峰左偏？其他不偏移？各个峰左偏的程度不一样？

...

你好，请问下，你是故意让硅氧化的么？具体的氧化温度是多少呢

发自小木虫Android客户端
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5楼2017-12-08 12:50:28
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